[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一氧化物；

所述第一氧化物上的第二氧化物；

所述第二氧化物上的第三氧化物；

所述第三氧化物上的第一绝缘体；

所述第一绝缘体上的导电体；

与所述第二氧化物的顶面的一部分、所述第二氧化物的侧面的一部分及所述第三氧化物的侧面的一部分接触的第二绝缘体；

与所述第二绝缘体的顶面及所述第三氧化物的侧面的另一部分接触的第三绝缘体；

所述第三绝缘体上的第四绝缘体；以及

与所述第三氧化物的顶面、所述第一绝缘体的顶面、所述导电体的顶面及所述第三绝缘体的顶面接触的第五绝缘体，

其中，所述第二氧化物具有第一区域、第二区域、位于所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域、位于所述第一区域与所述第三区域之间的第四区域以及位于所述第二区域与所述第三区域之间的第五区域；

所述第一区域及所述第二区域的电阻低于所述第三区域的电阻，

所述第四区域及所述第五区域的电阻低于所述第三区域的电阻并高于所述第一区域及所述第二区域的电阻，

所述导电体以与所述第三区域重叠的方式设置在所述第三区域的上方，

所述第三氧化物的一部分及所述第一绝缘体的一部分设置在所述导电体的侧面与所述第三绝缘体的侧面之间，

并且，所述第二绝缘体接触于所述第一区域及所述第二区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一区域、所述第二区域、所述第四区域以及所述第五区域包含磷和硼中的一方。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述第一区域及所述第二区域包含比所述第四区域及所述第五区域多的磷或硼。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，

其中所述第一区域、所述第二区域、所述第四区域以及所述第五区域具有比所述第三区域多的氧空位。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中所述第一区域及所述第二区域具有比所述第四区域及所述第五区域多的氧空位。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，

其中所述第一区域、所述第二区域、所述第四区域以及所述第五区域包含比所述第三区域多的氢。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，

其中所述第一区域及所述第二区域包含比所述第四区域及所述第五区域多的氢。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，

所述第三氧化物重叠于所述第四区域的一部分及所述第五区域的一部分。