[发明专利]具有与NAND串断开连接的位线以进行快速编程的存储器设备

权利要求书

1.一种装置，包括：

第一组NAND串(700n,702n,704n,706n,708n,710n,712n和714n)；

第二组NAND串(790-790p)；

第一组位线(BL0,BL2,BL4,BL6,BL8,BL10,BL12和BL12)，所述第一组位线与第二组位线(BL1,BL3,BL5,BL7,BL9,BL11,BL13和BL15)交织；和

位线驱动器(440,440a,440b)，所述位线驱动器被配置为在所述第二组NAND串的编程期间驱动所述第一组位线和所述第二组位线，并且在所述第一组NAND串的编程期间驱动所述第一组位线并使所述第二组位线浮置。

2.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述第一组NAND串和所述第二组NAND串中的每个NAND串包括选择栅极晶体管；

所述第二组NAND串中的所述选择栅极晶体管电连接到所述第一组位线和所述第二组位线；并且

所述第一组NAND串中的所述选择栅极晶体管电连接到所述第一组位线并且不电连接到所述第二组位线。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其中：

所述第一组NAND串中的NAND串(700n,702n,704n,706n,708n,710n,712n和714n)与虚设NAND串(701n,703n,705n,707n,709n,711n,713n和715n)交织；

所述第一组NAND串和每个虚设NAND串中的每个NAND串包括选择栅极晶体管；

所述第一组NAND串中的所述选择栅极晶体管电连接到所述第一组位线；

所述虚设NAND串中的所述选择栅极晶体管电连接到所述第二组位线；并且

所述虚设NAND串中的所述选择栅极晶体管的阈值电压高于所述第一组NAND串中的所述NAND串的所述选择栅极晶体管的阈值电压。

4.根据权利要求1或2所述的装置，其中：

所述第一组NAND串中的NAND串(700n,702n,704n,706n,708n,710n,712n和714n)与虚设NAND串(701n,703n,705n,707n,709n,711n,713n和715n)交织；

所述第一组NAND串和每个虚设NAND串中的每个NAND串包括选择栅极晶体管；并且

通孔(621,621a)在所述第一组NAND串中的所述选择栅极晶体管与所述第一组位线之间延伸，但不在所述虚设NAND串中的所述选择栅极晶体管与所述第二组位线之间延伸。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中：

所述第一组NAND串位于距所述位线驱动器第一距离(d1)处；

所述第二组NAND串位于距所述位线驱动器第二距离(d3)处；并且

所述第二距离大于所述第一距离。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的装置，其中：

所述第一组NAND串中的NAND串之间的间距(sp2)大于所述第二组NAND串中的NAND串之间的间距(sp1)。

7.根据权利要求6所述的装置，其中：

所述第一组位线中的每个位线与所述第二组位线中的两个位线相邻。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的装置，其中：

在所述第一组NAND串的所述编程期间，为所述第一组位线的电压的变化分配第一时间段(ths)；并且

在所述第二组NAND串的所述编程期间，为所述第二组位线的电压的变化分配第二时间段(tls)，所述第二时间段大于所述第一时间段。

9.根据权利要求8所述的装置，其中：

所述第一组位线的所述电压的所述变化包括增大到编程禁止电压；并且

所述第二组位线的所述电压的所述变化包括增大到所述编程禁止电压。