[发明专利]垂直腔面发射激光器

说明书

本实施例公开了一种垂直腔面发射激光器，上述垂直腔面发射激光器包括：基板；下部反射层，其布置于上述基板上；激光腔，其布置于上述下部反射层上，并且包括有源层；氧化层，其布置于上述激光腔上；上部反射层，其布置于上述氧化层上；多个第一孔，其形成于上述上部反射层和上述氧化层；以及上部电极，其布置于上述多个第一孔的内部和上述上部反射层上，上述氧化层包括相隔开布置的多个透光区域，上述多个第一孔在平面上以包围上述透光区域的方式布置。

技术领域

实施例涉及一种垂直腔面发射激光器。

背景技术

垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)可以实现窄光谱的单纵模(single longitudinal mode)振荡，并且因光束的辐射角(radiationangle)小而具有高耦合效率(coupling efficiency)。

近年来，正活跃进行着以二维阵列形态对垂直腔面发射激光器(VCSEL)实施图案化来制作光源矩阵的技术的研究。当向物体照射以这种二维阵列形态实现图案化的光源矩阵，并分析所反射的光的图案时，则可以构成物体的三维图像。

常规的VCSEL的光电转换效率为约34％至40％，因此，当进行驱动时，向VCSEL施加的电能的约60％至66％被转换成热。由此，导致VCSEL的内部温度的上升，当进行高电流驱动时，光效率会大大降低。

VCSEL的内部温度的上升是由焦耳(Joule)热引起的自(self)发热现象，因此必须减小元件的串联(series)电阻以减少自发热。而且，当结温上升10℃时，会减少元件的寿命的50％以上。

因此，为了实现高效率长寿命的VCSEL元件，减小元件的电阻是非常重要的。

在以阵列形态形成多个激光的发射极的情况下，当通过传统的制作方法形成阵列时，由于能够与欧姆电极相接触的半导体层的接触面积较少，因此，存在接触电阻增加的问题。因此，在降低工作电压方面存在局限性。

发明内容

实施例公开了一种垂直腔面发射激光器，其可以增加欧姆电极的接触面积来降低接触电阻。

实施例公开了一种优秀的垂直腔面发射激光器，其通过提高发射激光器的单位透光区域(发射极)的密度，从而具有高光电转换效率且可以进行高光输出放射。

实施例所要解决的问题并不局限于此，其还包括可以通过下述的解决问题的方法或实施方式来了解到的目的或效果。

用于解决问题的方案

根据本发明一特征的垂直腔面发射激光器可包括：基板；下部反射层，其布置于上述基板上；激光腔，其布置于上述下部反射层上，并且包括有源层(active layer)；氧化层，其布置于上述激光腔上；上部反射层，其布置于上述氧化层上；多个第一孔，其形成于上述上部反射层和上述氧化层；以及上部电极，其布置于上述多个第一孔的内部和上述上部反射层上，上述氧化层可包括相隔开布置的多个透光区域，上述多个第一孔可在平面上以包围上述透光区域的方式布置。

发明效果

根据实施例，可以增加欧姆电极的接触面积，从而能够降低接触电阻和工作电压。

并且，可以增加发射激光的透光区域的密度，从而可以具有优秀的光电转换效率，并且可以改善光输出放射值。

本发明的多样且有益的优点和效果并不局限于上述的内容，并且在说明本发明的具体实施方式的过程中，可以更加容易理解本发明的多样且有益的优点和效果。

附图说明

图1为根据本发明一实施例的垂直腔面发射激光器的俯视图。

图2为图1的部分放大图。