[发明专利]用于利用支撑结构形成三维存储器件的方法和产生的三维存储器件

权利要求书

1.一种3D存储器件，包括：

衬底上的存储堆叠层，所述存储堆叠层包括在横向上在所述存储堆叠层中延伸的交织的多个导体层和多个绝缘层；

在纵向上贯穿所述存储堆叠层延伸到所述衬底中的多个沟道结构，所述多个沟道结构和所述多个导体层彼此相交，并且构成多个存储单元；

在纵向和横向上在所述存储堆叠层中延伸并且将所述多个存储单元划分成至少一个存储块的缝隙结构，所述缝隙结构包括在纵向上沿所述缝隙结构的侧壁布置的多个凸出部分和多个凹陷部分；以及

所述缝隙结构中的源极结构，所述源极结构包括与所述缝隙结构接触的绝缘结构和位于所述绝缘结构中并且与所述衬底接触的源极触点，

其中，沿垂直于所述缝隙结构沿其延伸的一个横向方向的另一个横向方向，

在第一位置处，所述缝隙结构的宽度从所述缝隙结构的顶面到所述缝隙结构的至少中间部分地增大；并且

在第二位置处，缝隙结构的宽度从所述缝隙结构的顶面到所述缝隙结构的所述中间部分地减小。

2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述绝缘结构与所述多个凸出部分和所述多个凹陷部分接触。

3.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，沿所述另一个横向方向，

在所述第一位置处，所述源极触点的宽度从所述源极触点的顶面到所述源极触点的至少中间部分地增大；并且

在所述第二位置处，所述源极触点的宽度从所述源极触点的顶面到所述源极触点的所述中间部分地减小。

4.根据权利要求3所述的3D存储器件，其中，沿所述另一个横向方向，所述缝隙结构在第一距离范围和第二距离范围中延伸，并且其中

在所述第一距离范围中，所述缝隙结构的宽度从所述缝隙结构的顶面到所述缝隙结构的至少中间部分地增大，并且，所述源极触点的宽度从所述源极触点的顶面到所述源极触点的至少所述中间部分地增大；并且

在所述第二距离范围中，所述缝隙结构的宽度从所述缝隙结构的所述顶面到所述缝隙结构的中间部分地减小，并且，所述源极触点的宽度从所述源极触点的顶面到所述源极触点的至少中间部分地减小。

5.根据权利要求4所述的3D存储器件，其中，所述源极触点包括钨、铝、铜、钴、硅化物或者多晶硅中的至少一项；并且，所述绝缘结构包括二氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅中的至少一项。

6.根据权利要求1中的任一项所述的3D存储器件，其中，所述多个沟道结构在所述至少一个存储块中的每个存储块中延伸，并且，所述多个沟道结构中的每个沟道结构包括位于该沟道结构的底部并且与所述衬底接触的外延部分、位于所述外延部分之上并且与所述外延部分接触的半导体沟道和位于所述半导体沟道之上并且与所述半导体沟道接触的漏极部分。

7.根据权利要求6所述的3D存储器件，其中，所述半导体沟道包括阻隔层、存储层、隧穿层、半导体层和从所述沟道结构的侧壁到所述沟道结构的中央地向内布置的绝缘核。

8.一种3D存储器件，包括：

堆叠层结构，其包括衬底上的交织的多个初始的牺牲层和多个初始的绝缘层；

支撑结构包括沿横向对准并且暴露所述堆叠层结构的多个支撑开口和各自与相邻的支撑开口接触的至少一个连接部分；

由所述多个支撑开口暴露的所述堆叠层结构中的多个第一开口，所述多个第一开口暴露所述衬底；以及

至少一个第二开口，所述至少一个第二开口形成在各自与所述相邻的第一开口接触的所述至少一个连接部分下面，所述多个第一开口和所述至少一个第二开口形成将所述堆叠层结构划分成一对存储块部分的初始缝隙结构，所述一对存储块部分中的每个存储块部分包括交织的多个牺牲层和多个绝缘层。

9.根据权利要求8所述的3D存储器件，其中，所述支撑结构包括与所述多个初始的绝缘层和所述多个牺牲层的材料不同的材料。

10.根据权利要求8或者9所述的3D存储器件，其中，所述支撑结构包括多晶硅、硅锗或者碳化硅中的至少一项。