[发明专利]具有位于缝隙结构中的支撑结构的三维存储器件和用于形成其的方法有效
| 申请号： | 201980001834.5 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN110896666B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 霍宗亮;杨号号;徐伟;严萍;黄攀;周文斌 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L29/417;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 张殿慧;刘健 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于形成三维(3D)存储器件的结构和方法的实施例。在一个示例中，3D存储器件包括堆叠层结构和至少一个源极结构，所述至少一个源极结构在纵向和横向上延伸，并且将所述堆叠层结构划分成多个存储块区域。所述堆叠层结构可以包括被交织在衬底上的多个导体层和多个绝缘层。所述至少一个源极结构包括沿所述纵向方向延伸到所述衬底的至少一个支撑结构，所述至少一个支撑结构与所述相应的源极结构的至少侧壁接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 位于 缝隙 结构 中的 支撑 三维 存储 器件 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980001834.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
