[发明专利]竖直存储器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

沿垂直于所述半导体器件的衬底的方向交替地堆叠并且在所述衬底上方形成堆叠体的栅极层和绝缘层；

在所述堆叠体的阵列区中形成的沟道结构的阵列；

由所述堆叠体在所述衬底上方的连接区中的第一区段形成的第一阶梯；

由所述堆叠体在所述衬底上方的所述连接区中的第二区段形成的第二阶梯，所述第二阶梯在垂直于所述半导体器件的所述衬底的方向上是低于所述第一阶梯的；以及

由所述堆叠体的所述第一区段形成的并且设置在所述连接区中的所述第一阶梯和所述第二阶梯之间的虚设阶梯。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述第一阶梯上形成并且连接到所述堆叠体的所述第一区段中的所述栅极层的第一触点结构；以及

在所述第二阶梯上形成并且连接到所述堆叠体的所述第二区段中的所述栅极层的第二触点结构。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述堆叠体的所述第一区段和所述堆叠体的所述第二区段具有相同数量的栅极层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一阶梯由沿第一方向下降的第一组阶梯台阶形成，并且所述第二阶梯由沿所述第一方向下降的第二组阶梯台阶形成。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述虚设阶梯由沿与所述第一方向相反的第二方向下降的一组阶梯台阶形成。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一阶梯和所述第二阶梯中的对应组阶梯台阶具有相同的高度。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述虚设阶梯的侧壁和所述第二阶梯的侧壁具有与所述第一阶梯的侧壁相同的高度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

由所述堆叠体的与所述沟道结构中的栅极顶部选择晶体管相对应的第三区段形成的第三阶梯。

9.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一组阶梯台阶和所述第二组阶梯台阶的每个阶梯台阶是由多个划分阶梯台阶形成的。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述多个划分阶梯台阶沿垂直于所述第一方向的第三方向下降。

11.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

沿垂直于所述半导体器件的衬底的方向交替地堆叠牺牲栅极层和绝缘层，以形成所述衬底上方的堆叠体；

对在连接区中的所述堆叠体的第一区段中的所述牺牲栅极层和所述绝缘层进行成形，以在所述衬底上方的连接区中的所述堆叠体的所述第一区段中形成第一阶梯、第二阶梯和虚设阶梯，所述虚设阶梯设置在所述第一阶梯和所述第二阶梯之间；以及

去除所述第二阶梯的数个所述牺牲栅极层和所述绝缘层以将所述第二阶梯移到所述堆叠体的第二区段中。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在阵列区中的所述堆叠体中形成沟道结构；

利用栅极层替换所述牺牲栅极层；以及

在所述第一阶梯上形成第一触点结构并且在所述第二阶梯上形成第二触点结构，所述第一触点结构连接到所述堆叠体的所述第一区段中的所述栅极层，并且所述第二触点结构连接到所述堆叠体的所述第二区段中的所述栅极层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述堆叠体的所述第一区段和所述堆叠体的所述第二区段具有相同数量的栅极层。