[实用新型]一种沉积盘

说明书

本申请公开一种沉积盘，所述沉积盘适用于晶圆衬底CVD沉积，所述晶圆衬底具有直线形切边，在所述沉积盘上开设有沉积槽(1)，所述沉积槽(1)为柱形槽，所述沉积槽(1)的截面为优弧弓形，所述优弧弓形的弦长等于晶圆衬底切边的边长，所述沉积槽(1)的半径等于晶圆衬底的半径，所述沉积槽(1)的深度等于晶圆衬底的厚度，使得晶圆衬底能够无缝契合于沉积槽中，从而在热处理过程中晶圆衬底各处受热均匀，从而提高CVD膜的均匀性。

技术领域

本申请属于化工设备邻域，特别涉及一种沉积盘。

背景技术

化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积的技术，气态原材料在反应室内发生化学反应，生成一种新材料，这种新材料沉积在衬底表面，形成一层薄膜，例如，氮化硅薄膜就是由硅烷与氮气通过化学气相沉积反应制备的。常用CVD设备包括管式CVD和板式CVD两种类型。对于板式CVD，以氧化硅沉积为例，需要将硅衬底或者其它材质的衬底放置在沉积盘上，然后将沉积盘放置在沉积腔室内，沉积腔室的上方为化学反应区，原料气体通过化学反应生成氧化硅颗粒，在气压的作用下，氧化硅颗粒会均匀地落在衬底表面。

图1示出一种适用于晶圆衬底CVD沉积的沉积盘的结构示意图，如图1所示，一般来说，在沉积盘上设置有凹槽001用以放置沉积衬底，所述凹槽001的形状和尺寸通常与沉积衬底的形状和尺寸匹配，例如，对于晶圆衬底，沉积盘上沉积槽为圆形，在圆形凹槽一侧可以设置半圆形凹槽002，以便在沉积完成后将沉积有薄膜的衬底从半圆形凹槽002内方便地取出。

通常，用于CVD沉积的晶圆衬底为商购品，所述晶圆衬底在上游厂商制备过程中由于定位需要通常会存在一个小的切边，所谓切边即在所述晶圆衬底上切除一部分弓形，以方便晶圆衬底在半导体各工艺加工过程中对齐。

在CVD沉积过程中，通常将沉积盘放置于一个加热装置上，加热装置加热沉积盘，进而加热晶圆衬底，圆形沉积槽在实际的沉积过程中，具有切边的晶圆衬底侧壁的大部分区域直接与沉积槽侧壁接触，但是切边处却与沉积槽侧壁分离，并存在空气间隙，导致晶圆衬底在切边处气压与其余位置的气压不一致；而且，在切边处受热程度也与其余位置不一致，导致晶圆衬底整体所受气压以及温度不均匀。由于CVD沉积膜的厚度与晶圆衬底所受气压以及温度直接相关，因此，晶圆衬底所受气压以及温度不均匀直接导致所沉积CVD膜的均匀性降低，通常表现为在切边处CVD沉积膜较厚。

实用新型内容

为解决切边晶圆衬底通过CVD气相沉积方法所制备的薄膜均匀差的问题，本申请的目的是提供一种能够在具有切边晶圆衬底上制备均匀薄膜的沉积盘。

为实现上述目的本申请提供过以下方案：

一种沉积盘，所述沉积盘适用于晶圆衬底CVD沉积，所述晶圆衬底具有直线形切边，在所述沉积盘上开设有沉积槽1，所述沉积槽1为柱形槽，所述沉积槽1的截面为优弧弓形，所述优弧弓形的弦长等于晶圆衬底切边的边长，所述沉积槽1的半径等于晶圆衬底的半径，所述沉积槽1的深度等于晶圆衬底的厚度。

本申请提供的沉积盘适用于晶圆衬底的CVD沉积，所述沉积槽1横截面形状与晶圆衬底的形状匹配，并且所述沉积槽1的尺寸与晶圆衬底尺寸相同，使得在沉积过程中晶圆衬底上表面所受到的气压均匀，并且，所述晶圆衬底侧壁由沉积槽1侧壁传导来的热量也均匀，从而在气相沉积的过程中用于形成薄膜的微粒能够均匀地沉积于晶圆衬底表面，进而提高CVD沉积所得薄膜厚度的均匀度。

在一种可实现的方式中，所述沉积槽1的深度为0.2～1mm。由于晶圆衬底的厚度一般为0.2～1mm，因此，将沉积槽1的深度设置为0.2～1mm能够使衬底晶圆衬底完全嵌入沉积槽1中，使晶圆衬底在热处理过程中受热均匀。

在一种可实现的方式中，所述沉积盘的厚度为所述沉积槽1深度的3～8倍，从而使嵌入沉积槽1的晶圆衬底底面与侧壁受热均匀。