[实用新型]IGBT模块

说明书

本实用新型公开了一种IGBT模块，包括铝基板和引脚，所述引脚包括与所述铝基板焊接的第一连接部、与第一连接部连接的第二连接部和与第二连接部连接且与第一连接部相平行的第三连接部，第一连接部的长度为1.8mm，第二连接部与第三连接部之间的夹角为120°。本实用新型的IGBT模块，通过增大引脚与铝基板的焊接面积，提高了引脚的焊接品质，提升了产品整体作业良率，确保产品的电性输出。

技术领域

本实用新型属于半导体器件技术领域，具体地说，本实用新型涉及一种 IGBT模块。

背景技术

引脚在IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模块中的作用是做电路的引出，引脚焊接的品质直接关系到模块的电路输出及整体生产良率。

对于现有的模块，引脚与铜层之间的焊接面积较小，在作业过程中容易出现爬锡不良及虚焊等品质问题，影响产品整体作业良率。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提供一种IGBT模块，目的是提高引脚的焊接品质。

为了实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：IGBT模块，包括铝基板和引脚，所述引脚包括与所述铝基板焊接的第一连接部、与第一连接部连接的第二连接部和与第二连接部连接且与第一连接部相平行的第三连接部，第一连接部的长度为1.8mm，第二连接部与第三连接部之间的夹角为120°。

所述铝基板包括铝层、设置于铝层上的绝缘层和设置于绝缘层上的铜层，所述第一连接部与铜层焊接。

本实用新型的IGBT模块，通过增大引脚与铝基板的焊接面积，提高了引脚的焊接品质，提升了产品整体作业良率，确保产品的电性输出。

附图说明

本说明书包括以下附图，所示内容分别是：

图1是本实用新型IGBT模块的结构示意图；

图2是引脚的结构示意图；

图中标记为：1、铝层；2、绝缘层；3、铜层；4、锡层；5、芯片；6、键合线；7、塑封体；8、引脚；801、第一连接部；802、第二连接部；803、第三连接部。

具体实施方式

下面对照附图，通过对实施例的描述，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明，目的是帮助本领域的技术人员对本实用新型的构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解，并有助于其实施。

需要说明的是，在下述的实施方式中，所述的“第一”、“第二”和“第三”并不代表结构和/或功能上的绝对区分关系，也不代表先后的执行顺序，而仅仅是为了描述的方便。

如图1和图2所示，本实用新型提供了一种IGBT模块，包括铝基板、芯片 5、塑封体7和引脚8，铝基板设置于塑封体7的内部，芯片5焊接在铝基板上。引脚8包括与铝基板焊接的第一连接部801、与第一连接部801连接的第二连接部802和与第二连接部802连接且与第一连接部801相平行的第三连接部803，第一连接部801的长度L为1.8mm，第二连接部802与第三连接部803之间的夹角α为120°。

具体地说，如图1和图2所示，铝基板包括铝层1、设置于铝层1上的绝缘层2和设置于绝缘层2上的铜层3，第一连接部801与铜层3焊接，铝层1材质为铝，铜层3材质为铜。第一连接部801的长度方向与第三连接部803的长度方向相平行，第三连接部803的长度大于第一连接部801的长度，第一连接部 801与第二连接部802之间的夹角也为120°，第一连接部801和第三连接部803 分别朝向第二连接部802的相对两侧伸出。

以上结合附图对本实用新型进行了示例性描述。显然，本实用新型具体实现并不受上述方式的限制。只要是采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进；或未经改进，将本实用新型的上述构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围之内。