[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板、显示面板和显示装置

说明书

本实用新型提供一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板和显示装置，能够在薄膜晶体管尺寸不变的情况下，增大开态电流，包括衬底、设置于衬底上的栅极、源极和漏极、以及有源图案；有源图案包括第一有源图案和第二有源图案；沿衬底厚度方向，第一有源图案和第二有源图案分设于栅极两侧；第一有源图案包括第一源极区、第一沟道区和第一漏极区；第二有源图案包括第二源极区、第二沟道区和第二漏极区；第一沟道区、第二沟道区和栅极在衬底上的投影重叠；源极、第一有源图案对应第一源极区的部分、以及第二有源图案对应第二源极区的部分电连接；漏极、第一有源图案对应第一漏极区的部分、以及第二有源图案对应第二漏极区的部分电连接。

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。

背景技术

大尺寸高分辨率显示面板成为新的增长热点，像素驱动电路的性能对于显示面板来说至关重要，构成像素驱动电路的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)作为其核心部件的性能也得到广泛关注。其中，为实现更高分辨率，TFT的尺寸需要做的很小，受限于TFT的尺寸，无法使TFT具有较大的开态电流，然而，TFT较大的开态电流对于像素驱动电路的对发光器件的驱动能力至关重要，TFT的开态电流越大，像素驱动电路的对发光器件的驱动能力越好。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，能够在薄膜晶体管尺寸不变的情况下，增大开态电流。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一方面，本实用新型实施例提供一种薄膜晶体管，包括：衬底、设置于所述衬底上的栅极、源极和漏极、以及有源图案。

所述有源图案包括第一有源图案和第二有源图案；沿所述衬底厚度方向，所述第一有源图案和所述第二有源图案分设于所述栅极两侧。

所述第一有源图案包括第一源极区、第一沟道区和第一漏极区；所述第二有源图案包括第二源极区、第二沟道区和第二漏极区；所述第一沟道区、所述第二沟道区和所述栅极在所述衬底上的投影重叠。

所述源极、所述第一有源图案对应所述第一源极区的部分、以及所述第二有源图案对应所述第二源极区的部分电连接；所述漏极、所述第一有源图案对应所述第一漏极区的部分、以及所述第二有源图案对应所述第二漏极区的部分电连接。

可选的，所述第一有源图案设置于所述栅极靠近所述衬底一侧。

所述薄膜晶体管还包括设置于所述栅极与所述第一有源图案之间的栅绝缘图案、设置于所述栅极与所述第二有源图案之间的层间绝缘层。

所述第二有源图案对应所述第二源极区的部分通过贯穿所述层间绝缘层的第一过孔，与所述第一有源图案对应所述第一源极区的部分接触；所述源极与所述第二有源图案对应所述第二源极区的部分直接接触。

所述第二有源图案对应所述第二漏极区的部分通过贯穿所述层间绝缘层的第二过孔，与所述第一有源图案对应所述第一漏极区的部分接触；所述漏极与所述第二有源图案对应所述第二漏极区的部分直接接触。

可选的，所述栅绝缘图案在所述衬底上的投影的边界，超出所述栅极在所述衬底上的投影的边界。

可选的，沿所述衬底厚度方向，所述第一有源图案的厚度为所述第二有源图案的厚度为

在此基础上，可选的，还包括金属遮光图案和缓冲层，所述缓冲层设置于所述金属遮光图案和所述有源图案之间。

所述金属遮光图案在所述衬底上的投影覆盖所述有源图案在所述衬底上的投影；所述源极和所述漏极中的其中之一通过第三过孔与所述金属遮光图案电连接，所述第三过孔贯穿所述层间绝缘层和所述缓冲层。