[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板、显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底、设置于所述衬底上的栅极、源极和漏极、以及有源图案；

所述有源图案包括第一有源图案和第二有源图案；沿所述衬底厚度方向，所述第一有源图案和所述第二有源图案分设于所述栅极两侧；

所述第一有源图案包括第一源极区、第一沟道区和第一漏极区；所述第二有源图案包括第二源极区、第二沟道区和第二漏极区；所述第一沟道区、所述第二沟道区和所述栅极在所述衬底上的投影重叠；

所述源极、所述第一有源图案对应所述第一源极区的部分、以及所述第二有源图案对应所述第二源极区的部分电连接；所述漏极、所述第一有源图案对应所述第一漏极区的部分、以及所述第二有源图案对应所述第二漏极区的部分电连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一有源图案设置于所述栅极靠近所述衬底一侧；

所述薄膜晶体管还包括设置于所述栅极与所述第一有源图案之间的栅绝缘图案、设置于所述栅极与所述第二有源图案之间的层间绝缘层；

所述第二有源图案对应所述第二源极区的部分通过贯穿所述层间绝缘层的第一过孔，与所述第一有源图案对应所述第一源极区的部分接触；所述源极与所述第二有源图案对应所述第二源极区的部分直接接触；

所述第二有源图案对应所述第二漏极区的部分通过贯穿所述层间绝缘层的第二过孔，与所述第一有源图案对应所述第一漏极区的部分接触；所述漏极与所述第二有源图案对应所述第二漏极区的部分直接接触。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘图案在所述衬底上的投影的边界，超出所述栅极在所述衬底上的投影的边界。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，沿所述衬底厚度方向，所述第一有源图案的厚度为所述第二有源图案的厚度为

5.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括金属遮光图案和缓冲层，所述缓冲层设置于所述金属遮光图案和所述有源图案之间；

所述金属遮光图案在所述衬底上的投正影覆盖所述有源图案在所述衬底上的正投影；所述源极和所述漏极中的其中之一通过第三过孔与所述金属遮光图案电连接，所述第三过孔贯穿层间绝缘层和所述缓冲层。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，所述栅绝缘图案在所述衬底上投影的边界，超出所述栅极在所述投影上的边界的范围为0.8-1um。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一有源图案的材料为氧化物半导体，所述第二有源的材料为氧化物半导体、多晶硅和非晶硅的一种。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管。

9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求8所述的阵列基板。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。