[实用新型]一种发光二极管

说明书

一种发光二极管，至少包括依次层叠的衬底、第一类型半导体层、发光层、第二类型半导体层、保护层以及分别与第一类型半导体层和第二类型半导体层电性连接的第一电极和第二电极，其特征在于：所述保护层表面设置疏水层。本实用新型在保护层表面设置疏水层，减少水汽在LED表面的粘附，从而改善因水汽而导致的死灯及金属迁移异常。

技术领域

本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种表面具有疏水层的发光二极管，可以有效改善死灯和金属迁移异常。

背景技术

常规的发光二极管（LED）表面覆盖二氧化硅等材料作为保护层（PV），以保护发光二极管表面免受脏污污染和水氧腐蚀等。然而由于PV表层特殊的亲水性能，易导致PV表层形成水滴聚集，从而使得电极附近区域存在水汽残留，残留的水汽形成电解质环境，进而导致金属在电化学作用下的迁移，并且由于水汽残留，易形成短路从而导致芯粒烧死情况。

发明内容

为了解决上述的技术问题，本实用新型提供一种发光二极管，在其表面设置疏水层，减少LED表面的水汽残留，从而改善其死灯和金属迁移异常。具体技术方案如下：

一种发光二极管，至少包括依次层叠的衬底、第一类型半导体层 、发光层、第二类型半导体层、保护层以及分别与第一类型半导体层和第二类型半导体层电性连接的第一电极和第二电极，其特征在于：所述保护层表面设置疏水层。

优选的，所述疏水层为高分子树脂膜。进一步地，所述高分子树脂膜包括丙烯酸酯膜、聚四氟乙烯膜或碳纳米管膜。

优选的，所述疏水层为TiO₂纳米膜。

优选的，所述疏水层的厚度为10~1000埃。

优选的，所述保护层为二氧化硅层、碳化硅层、氮化硅层或者三氧化二铝层中的一种或者几种的组合。

优选的，所述第二类型半导体层和第二电极之间还设置有用于扩展电流的电流扩展层。进一步地，所述电流扩展层包括氧化铟锡层、氧化锌层、氧化锌铟锡层、氧化铟锌层、氧化锌锡层、氧化镓铟锡层、氧化镓铟层、氧化镓锌层、掺杂铝的氧化锌层或掺杂氟的氧化锡层中的一种或者几种的组合。

优选的，所述第二类型半导体层和电流扩展层之间还设置有用于阻挡电流的电流阻挡层。进一步地，所述电流阻挡层包括二氧化硅层、碳化硅层、氮化硅层或三氧化铝层中的一种或者几种的组合。

本实用新型在LED的保护层表面设置疏水层，减少水汽在LED表面的粘附和残留，从而改善因水汽而导致的LED死灯及金属迁移异常。

附图说明

图1为本实用新型之发光二极管截面图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。需说明的是，本实用新型的附图均采用非常简化的非精准比例，仅用以方便、明晰的辅助说明本实用新型。

本实用新型公开了一种发光二极管，至少包括依次层叠的衬底10、第一类型半导体层21、发光层22、第二类型半导体层23、保护层30以及分别与第一类型半导体层21和第二类型半导体层23电性连接的第一电极41和第二电极42。

其中，衬底10的材质材料是选自Al₂O₃、SiC、GaAs、GaN、AlN、GaP、 Si、ZnO、MnO及上述的任意组合中择其中之一。本实施例的的外延成长衬底10以蓝宝石衬底10（sapphiresubstrate）为例说明，晶格方向例如为(0001)，但本发明不限制所使用的衬底10材质与晶格方向。可以对衬底10进行图形化处理，改变光的传播路径，提升发光二极管的出光效率。