[实用新型]一种降低等效介电常数的转接板结构

说明书

本实用新型公开了一种降低等效介电常数的转接板结构，包括：第一转接板；第一导电通孔，所述第一导电通孔贯穿设置在所述第一转接板内；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述第一转接板的上表面；第一布局布线层，所述第一布局布线层设置在所述第一绝缘层上方，且与所述第一导电通孔电连接；第二转接板，所述第二转接板的设置在所述第一转接板的下方；第二导电通孔，所述第二导电通孔贯穿设置在所述第二转接板内，且与所述第一导电通孔电连接；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第二转接板的下表面；第二布局布线层，所述第二布局布线层设置在所述第二绝缘层的下方，且与所述第二导电通孔电连接；以及内部空腔，所述内部空腔设置在所述第一转接板与所述第二转接板的键合面附近。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种降低等效介电常数的转接板结构。

背景技术

随着微电子技术的不断发展，用户对系统的小型化、多功能、低功耗、高可靠性的要求越来越高，尤其是近年来便携式手持终端市场需求的井喷，如手提电脑、智能手机和平板电脑等，要求更高的集成度和互连能力。为了满足高密度互连，实现更高的集成度，实现系统的高频高速性能，减小传输延时，采用低介电常数的介电材料(低K介质材料)是一种非常有效的技术途径。

虽然低K介质材料对于高频高速系统的传输性能具有明显的改善，但是低K材料本身的开发、工艺验证和可靠性等方面都存在较长的周期和成本。基于硅基转接板的集成作为高频高速系统的一种典型架构，工艺成熟，但是硅的相对介电常数大于10，对高速系统会带来较大的传输时延。

针对低K材料的开发、工艺验证和可靠性等方面都存在较长的周期和较高的成本，以及现有的硅基转接板介电常数较大带来较大的传输时延等问题，本实用新型提出一种降低等效介电常数的硅基转接板结构及其制备方法，降低了硅基的等效介电常数，可以改善系统的传输性能，而且不改变工艺的材料体系，与所有现有工艺兼容，降低了成本，扩展了硅基转接板的应用场景。

实用新型内容

针对低K材料的开发、工艺验证和可靠性等方面都存在较长的周期和较高的成本，以及现有的硅基转接板介电常数较大带来较大的传输时延等问题，根据本实用新型的一个实施例，提供一种降低等效介电常数的转接板结构，包括：

第一转接板；

第一导电通孔，所述第一导电通孔贯穿设置在所述第一转接板内；

第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述第一转接板的上表面；

第一布局布线层，所述第一布局布线层设置在所述第一绝缘层上方，且与所述第一导电通孔电连接；

第二转接板，所述第二转接板的设置在所述第一转接板的下方；

第二导电通孔，所述第二导电通孔贯穿设置在所述第二转接板内，且与所述第一导电通孔电连接；

第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第二转接板的下表面；

第二布局布线层，所述第二布局布线层设置在所述第二绝缘层的下方，且与所述第二导电通孔电连接；以及

内部空腔，所述内部空腔设置在所述第一转接板与所述第二转接板的键合面附近。

在本实用新型的一个实施例中，所述第一布局布线层和或第二布局布线层具有M层，其中M≥2。

在本实用新型的一个实施例中，所述内部空腔从所述第一转接板的下表面向所述第一转接板内部延伸形成；或者所述内部空腔从所述第二转接板的上表面向所述第二转接板内部延伸形成。

在本实用新型的一个实施例中，所述内部空腔由所述第一转接板的下表面向所述第一转接板内部延伸形成的第一空腔和由所述第二转接板的上表面向所述第二转接板内部延伸形成的第二空腔配合构成。