[实用新型]一种降低等效介电常数的转接板结构有效
| 申请号： | 201921982402.0 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN210467766U | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 周云燕;宗小雪;楚姣;曹立强 | 申请（专利权）人： | 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 200000 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 等效 介电常数 转接 板结 | ||
1.一种降低等效介电常数的转接板结构，包括：
第一转接板；
第一导电通孔，所述第一导电通孔贯穿设置在所述第一转接板内；
第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述第一转接板的上表面；
第一布局布线层，所述第一布局布线层设置在所述第一绝缘层上方，且与所述第一导电通孔电连接；
第二转接板，所述第二转接板的设置在所述第一转接板的下方；
第二导电通孔，所述第二导电通孔贯穿设置在所述第二转接板内，且与所述第一导电通孔电连接；
第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第二转接板的下表面；
第二布局布线层，所述第二布局布线层设置在所述第二绝缘层的下方，且与所述第二导电通孔电连接；以及
内部空腔，所述内部空腔设置在所述第一转接板与所述第二转接板的键合面附近。
2.如权利要求1所述的降低等效介电常数的转接板结构，其特征在于，所述第一布局布线层和或第二布局布线层具有M层，其中M≥2。
3.如权利要求1所述的降低等效介电常数的转接板结构，其特征在于，所述内部空腔从所述第一转接板的下表面向所述第一转接板内部延伸形成；或者所述内部空腔从所述第二转接板的上表面向所述第二转接板内部延伸形成。
4.如权利要求1所述的降低等效介电常数的转接板结构，其特征在于，所述内部空腔由所述第一转接板的下表面向所述第一转接板内部延伸形成的第一空腔和由所述第二转接板的上表面向所述第二转接板内部延伸形成的第二空腔配合构成。
5.如权利要求1所述的降低等效介电常数的转接板结构，其特征在于，内部空腔按阵列的方式设置在转接板结构内，并且还包括设置在所述内部空腔内的低介电常数材料，所述低介电常数材料的介电常数低于所述第一转接板、第二转接板的介电常数。
6.如权利要求1所述的降低等效介电常数的转接板结构，其特征在于，所述第一转接板和或所述第二转接板为硅基转接板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
