[实用新型]静电保护单元及阵列基板

说明书

本实用新型公开了一种静电保护单元及阵列基板，该静电保护单元包括悬浮栅极的第一薄膜晶体管、第一电容和第二电容，第一薄膜晶体管的悬浮栅极通过第一电容连接至第一薄膜晶体管的源极；第一薄膜晶体管的悬浮栅极通过第二电容连接第一薄膜晶体管的漏极。本实用新型在阵列基板的信号线上产生的静电荷时，信号线上的电压会通过第一电容耦合到第一薄膜晶体管的悬浮栅极，使第一薄膜晶体管的悬浮栅极打开，第一薄膜晶体管的源极和漏极在悬浮栅极的作用下导通，使信号线上的静电荷通过漏极迅速释放到静电保护线，降低了静电对阵列基板造成的损伤。

技术领域

本实用新型涉及一种静电保护单元，可应用于薄膜晶体管显示面板的静电防护。本实用新型还涉及具有该静电保护单元的阵列基板。

背景技术

现如今，有源矩阵有机发光二极体面板(AMOLED，Active-matrix organic light-emitting diode)和液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)具有广阔的市场应用，但在AMOLED和LCD在制备过程和使用过程中都可能会产生静电放电(Electro-StaticDischarge，ESD)现象。而在这一现象发生时，通常会导致绝缘介质被击穿，引起薄膜晶体管的栅极和源极短路，严重时，可能导致显示面板的整体损坏。因此，现有的构成显示面板的阵列基板上，通常都设有连通至静电保护线的静电保护单元，实际多为电路结构，用于防止静电对信号线造成损伤。但目前的实现方式中，电路结构较为复杂，实现起来成本相对较高，亟需改进。

实用新型内容

鉴于现有技术存在的上述问题，本实用新型的目的在于提供一种静电保护单元及阵列基板。

为了解决上述技术问题，本申请的实施例采用了如下技术方案：一种静电保护单元，所述静电保护单元包括悬浮栅极的第一薄膜晶体管、第一电容和第二电容，所述第一薄膜晶体管的悬浮栅极通过所述第一电容连接至所述第一薄膜晶体管的源极；所述第一薄膜晶体管的悬浮栅极通过所述第二电容连接所述第一薄膜晶体管的漏极。

本实用新型的实施例还公开了一种静电保护单元，所述静电保护单元包括悬浮栅极的第一薄膜晶体管、第一电容和第二电容，悬浮栅极的第二薄膜晶体管、第三电容和第四电容；所述第一薄膜晶体管的悬浮栅极通过所述第一电容连接至所述第一薄膜晶体管的源极；所述第一薄膜晶体管的悬浮栅极通过所述第三电容连接至所述第一薄膜晶体管的漏极；所述第二薄膜晶体管的悬浮栅极通过所述第二电容连接所述第二薄膜晶体管的漏极；所述第二薄膜晶体管的悬浮栅极通过所述第四电容连接所述第二薄膜晶体管的源极；所述第一薄膜晶体管的漏极连接所述第二薄膜晶体管的源极。

本实用新型的实施例还公开了一种静电保护单元，所述静电保护单元包括悬浮栅极的第一薄膜晶体管、第一电容和第二电容，悬浮栅极的第二薄膜晶体管、第五电容和第六电容；所述第一薄膜晶体管的悬浮栅极通过所述第一电容连接至所述第一薄膜晶体管的源极；所述第一薄膜晶体管的源极通过所述第五电容连接至所述第一薄膜晶体管的漏极；所述第二薄膜晶体管的悬浮栅极通过所述第二电容连接所述第二薄膜晶体管的漏极；所述第二薄膜晶体管的源极通过所述第六电容连接所述第二薄膜晶体管的漏极；所述第一薄膜晶体管的漏极连接所述第二薄膜晶体管的源极。