[实用新型]静电保护单元及阵列基板

权利要求书

1.一种静电保护单元，其特征在于，所述静电保护单元包括悬浮栅极的第一薄膜晶体管、第一电容和第二电容，所述第一薄膜晶体管的悬浮栅极通过所述第一电容连接至所述第一薄膜晶体管的源极；所述第一薄膜晶体管的悬浮栅极通过所述第二电容连接所述第一薄膜晶体管的漏极。

2.一种静电保护单元，其特征在于，所述静电保护单元包括悬浮栅极的第一薄膜晶体管、第一电容和第二电容，悬浮栅极的第二薄膜晶体管、第三电容和第四电容；所述第一薄膜晶体管的悬浮栅极通过所述第一电容连接至所述第一薄膜晶体管的源极；所述第一薄膜晶体管的悬浮栅极通过所述第三电容连接至所述第一薄膜晶体管的漏极；所述第二薄膜晶体管的悬浮栅极通过所述第二电容连接所述第二薄膜晶体管的漏极；所述第二薄膜晶体管的悬浮栅极通过所述第四电容连接所述第二薄膜晶体管的源极；所述第一薄膜晶体管的漏极连接所述第二薄膜晶体管的源极。

3.一种静电保护单元，其特征在于，所述静电保护单元包括悬浮栅极的第一薄膜晶体管、第一电容和第二电容，悬浮栅极的第二薄膜晶体管、第五电容和第六电容；所述第一薄膜晶体管的悬浮栅极通过所述第一电容连接至所述第一薄膜晶体管的源极；所述第一薄膜晶体管的源极通过所述第五电容连接至所述第一薄膜晶体管的漏极；所述第二薄膜晶体管的悬浮栅极通过所述第二电容连接所述第二薄膜晶体管的漏极；所述第二薄膜晶体管的源极通过所述第六电容连接所述第二薄膜晶体管的漏极；所述第一薄膜晶体管的漏极连接所述第二薄膜晶体管的源极。

4.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1所述的静电保护单元，所述阵列基板上包括基板和依次设置在所述基板上的所述第一薄膜晶体管的有源层、栅极绝缘层、所述第一薄膜晶体管的悬浮栅极、层间绝缘层、所述第一薄膜晶体管的源极和漏极，所述第一薄膜晶体管的源极具有第一延伸部，所述第一延伸部与所述第一薄膜晶体管的悬浮栅极具有第一重叠部分，所述第一重叠部分和所述第一薄膜晶体管的悬浮栅极构成所述第一电容，所述第一薄膜晶体管的漏极具有第二延伸部，所述第二延伸部与所述第一薄膜晶体管的悬浮栅极具有第二重叠部分，所述第二重叠部分和所述第一薄膜晶体管的悬浮栅极构成所述第二电容，所述第一薄膜晶体管的源极通过穿过所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层的第一过孔与所述第一薄膜晶体管的有源层连接，所述第一薄膜晶体管的漏极通过穿过所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层的第二过孔与所述第一薄膜晶体管的有源层连接。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的有源层的材料为氧化物半导体，所述第一薄膜晶体管的沟道的宽长比小于1/20，且大于1/100。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求2所述的静电保护单元，所述阵列基板上包括基板和依次设置在所述基板上的所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的有源层、栅极绝缘层、所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的悬浮栅极层、层间绝缘层、所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的源极和漏极层，所述第一薄膜晶体管的源极具有第一延伸部，所述第一延伸部与所述第一薄膜晶体管的悬浮栅极具有第一重叠部分，所述第一重叠部分和所述第一薄膜晶体管的悬浮栅极构成所述第一电容，所述第一薄膜晶体管的漏极具有第三延伸部，所述第三延伸部与所述第一薄膜晶体管的悬浮栅极具有第三重叠部分，所述第三重叠部分和所述第一薄膜晶体管的悬浮栅极构成所述第三电容，所述第二薄膜晶体管的漏极具有第二延伸部，所述第二延伸部与所述第二薄膜晶体管的悬浮栅极具有第二重叠部分，所述第二重叠部分和所述第二薄膜晶体管的悬浮栅极构成所述第二电容，所述第二薄膜晶体管的源极具有第四延伸部，所述第四延伸部与所述第二薄膜晶体管的悬浮栅极具有第四重叠部分，所述第四重叠部分和所述第二薄膜晶体管的悬浮栅极构成所述第四电容，所述第一薄膜晶体管的源极通过穿过所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层的第一过孔与所述第一薄膜晶体管的有源层连接，所述第二薄膜晶体管的漏极通过穿过所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层的第二过孔与所述第二薄膜晶体管的有源层连接，所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层为一体结构。