[实用新型]晶圆片缓存机有效
| 申请号: | 201921805721.4 | 申请日: | 2019-10-24 |
| 公开(公告)号: | CN210837695U | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
| 发明(设计)人: | 殷雪敏 | 申请(专利权)人: | 东莞慧新辰电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司: | 深圳市壹品专利代理事务所(普通合伙) 44356 | 代理人: | 江文鑫;唐敏 |
| 地址: | 523681 广东省东莞市凤*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶圆片 缓存 | ||
1.晶圆片缓存机,其特征在于,包括将晶圆片从上游设备传输至下游设备的传送结构、沿横向往复移动的转移结构、沿纵向往复移动的卡匣以及沿纵向往复移动的定位结构;所述卡匣具有多个沿纵向依次分布的缓存腔,所述缓存腔具有连通外部的侧端开口;进行缓存时,所述定位结构朝上移动限制晶圆片移动,所述转移结构沿横向移动将所述传送结构上的晶圆片转移至缓存腔。
2.如权利要求1所述的晶圆片缓存机,其特征在于,所述转移结构包括机械手、转移电机以及转移座,所述转移电机驱动所述转移座沿横向往复移动;所述机械手与所述转移座呈对接布置。
3.如权利要求2所述的晶圆片缓存机,其特征在于,沿横向方向,所述机械手呈长条状布置,且呈扁平状布置。
4.如权利要求2所述的晶圆片缓存机,其特征在于,所述转移座包括底座以及升降座,所述升降座设有升降电机,所述升降座的底部与所述底座呈固定布置,所述升降电机升降轴,所述升降轴朝上延伸轴所述升降座的顶部外且对接所述机械手。
5.如权利要求4所述的晶圆片缓存机,其特征在于,所述晶圆片缓存机包括机体,所述机体具有移动导轨,所述移动导轨沿横向延伸布置;所述底座活动对接所述移动导轨。
6.如权利要求1-5任意一项所述的晶圆片缓存机,其特征在于,所述定位结构包括定位柱以及定位气缸,所述定位气缸的底端呈固定布置,所述定位气缸的顶端与所述定位柱呈连接布置,所述定位气缸驱动所述定位柱沿纵向往复移动。
7.如权利要求6所述的晶圆片缓存机,其特征在于,所述定位结构包括停止位传感器,所述停止位传感器设置在所述定位柱上;当进行缓存时,所述定位气缸驱动所述定位柱朝上移动,带动所述停止位传感器移动至传送结构的上方,所述停止位传感器检测所述晶圆片,所述转移结构启动,将所述晶圆片转移至缓存腔。
8.如权利要求6所述的晶圆片缓存机,其特征在于,所述传送结构包括多个呈排列布置的传送轮,相邻所述传送轮具有传送间隙,所述定位柱朝上移动贯穿所述传送间隙,限制所述晶圆片移动。
9.如权利要求1-5任意一项所述的晶圆片缓存机,其特征在于,所述卡匣包括多个匣柱,所述匣柱呈纵向布置;所述匣柱具有多个卡槽,各个所述卡槽沿纵向呈间隔依次布置;各个所述匣柱的各个卡槽呈一一对应布置,形成所述缓存腔。
10.如权利要求1-5任意一项所述的晶圆片缓存机,其特征在于,所述卡匣包括至少一个对射传感器,所述对射传感器具有发射面,所述发射面朝向所述缓存腔布置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





