[实用新型]一种倒装发光二极管及显示装置有效
| 申请号： | 201921534812.9 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN210379097U | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 何安和;王锋;夏章艮;詹宇;林素慧;彭康伟 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/48;H01L33/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 发光二极管 显示装置 | ||
1.一种倒装发光二极管，包括图形化衬底和位于衬底上的外延发光层，外延发光层包括覆盖在衬底上的第一半导体层、第二半导体层和位于两者之间的有源层，与第一半导体层连接有第一电极，与第二半导体层连接有第二电极，其特征在于，外延发光层延伸覆盖至衬底边界。
2.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管，其特征在于， 95.0%至99%或者99%至99.5%或者99.5%以上的衬底表面被外延发光层覆盖。
3.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管，其特征在于，衬底图形包括半球、平台、圆锥、三角锥、六角锥、类圆锥、类三角锥或者类六角锥。
4.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管，其特征在于，倒装发光二极管的芯片尺寸不大于250微米*250微米。
5.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管，其特征在于，倒装发光二极管具有从2微米到100微米或从100微米到500微米的长度。
6.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管，其特征在于，倒装发光二极管具有从2微米到100微米或从100微米到500微米的宽度。
7.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管，其特征在于，倒装发光二极管具有从2微米到100微米或从100微米到200微米的高度。
8.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管，其特征在于，衬底边界位于芯片工艺的隔离槽。
9.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管，其特征在于，衬底被第一半导体层覆盖区域的凸起高度为0.2微米至1微米，1微米至2微米，或者为2微米至2.5微米。
10.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管，其特征在于，衬底边界的外延发光层的表面倾角为0~30°或者30°~80°。
11.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管，其特征在于，衬底边界的外延发光层的厚度不小于3微米。
12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至权利要求11中任意一项所述的倒装发光二极管。
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