[实用新型]一种防硫化COB封装结构

说明书

本实用新型公开了一种防硫化COB封装结构，包括LED金属镜面载体，设置在LED金属镜面载体上的LED芯片，依次设置在LED芯片上的光转换沉积层、第一保护层、防硫化层、第二保护层，所述防硫化封装结构还包括阻挡墙；阻挡墙包裹在LED芯片、光转换沉积层、第一保护层、防硫化层和第二护层外；第一保护层的折射率为1.4‑1.45，导热系数≤0.16w/m·k；第二保护层的折射率为1.4‑1.52，硬度＞50shoreA。本实用新型在防硫化层与光转换沉积层间设置了第一保护层，并在防硫化层上设置了第二保护层，防止防硫化层高温失活和在外力下受损，改善其长期防硫化性能，延长LED器件的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管封装技术领域，尤其涉及一种防硫化COB封装结构。

背景技术

发光二极管(LED)是一种半导体制造技术加工的电致发光器件，被广泛应用于各种领域，包括背光单元、汽车、电信号、交通信号灯、以及照明装置等，被誉为替代荧光灯和白炽灯的第四代照明光源。

当前市场上主流的商品化白光LED是采用蓝光LED芯片加上黄色荧光粉、绿色荧光粉、红色荧光粉一种或多种来实现的，LED芯片在电流驱动下发出的蓝光激发荧光粉，使其产生其它波段的可见光，这些可见光跟蓝光混合后形成了白光。目前LED封装形式主要分为SMD、COB、CSP等，而COB具有光线柔和、线路设计简单、高成本效益、节省系统空间、高导热率、高输出光密度和高光品质等优点，其在商业照明领域的明显优势使其成为目前定向照明主流解决方案，未来或将成为封装领域的中流砥柱。

然而COB作为一种大功率封装形式，使用时由于光转换层吸收了大量的热，封装胶体的温度会达到100℃以上，因此封装胶必须具有优异的耐高温性能。传统的COB封装使用甲基类的低折、低硬度的硅胶，把荧光粉混合在硅胶里，再涂覆于芯片上，混合胶厚度一般大于0.6mm，这样荧光粉的热传导路径长，而硅胶本身导热系数低，导致荧光粉吸收的热量不能及时从基板底部传出去，积累的热量越来越多，温度越来越高，从而使荧光粉失效，严重时导致硅胶龟裂而死灯。另一方面，COB光源采用高反射镀银基板，使用甲基类的低折、低硬度的硅胶，其气密性差，使得外部的硫、氧、溴等离子更容易透过封装硅胶扩散至反光镀银层，在使用过程中，银层在高温下会硫化发黑，大大降低了基板镀银层的反射率，导致光衰严重，随着氧化腐蚀的加剧，镀银层与基板载体会慢慢脱离，在芯片与载体之间形成一层空气界面，芯片产生的热量不能有效传导到热沉，最后芯片失效，直接导致器件死灯。因此，对于COB封装来说，防硫化能力对产品性能起到至关重要的作用。

传统的防硫化方法，一种是在芯片表面涂覆一层S-barrier材料的阻挡层，再在该阻挡层上涂覆光转换层，该方法在初始使用下能起到较好的防硫化能力，然而正如前面谈到的，COB作为大功率封装，光转换层的温度很高，而S-barrier 材料本身在高温条件下易变色、甚至变脆干裂，因此在长时间使用时，该封装结构的防硫化性能将逐渐降低，最终失效。另一种是在光转换层上涂覆一层 S-barrier材料的阻挡层。该方法同样面临光转换层的温度过高，导致S-barrier 材料本身在高温条件下易变色、甚至变脆干裂失效；而且该阻挡层由于暴露在外面，很容易受到外力刮伤，S-barrier材料破坏失效。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种防硫化COB封装结构，将光转换材料直接沉积在LED芯片上，缩小光转换层的热量传递的距离，使热量能快速传导出去，降低了光转换层的温度；并在防硫化层与光转换沉积层之间设置了第一保护层，有效降低了防硫化层的温度，延长了防硫化层的寿命；同时在防硫化层上设置了第二保护层，防止防硫化层在外力下受损；有效延长了LED器件的使用寿命。

本实用新型的目的采用如下技术方案实现：