[实用新型]一种光刻胶清除装置

说明书

本实用新型实施例涉及半导体技术领域，公开了一种光刻胶清除装置，包括：用于容置光刻胶清洗溶剂的清洗槽，其中，光刻胶清洗溶剂用于清洗待清洗半导体器件；用于向待清洗半导体器件发射超声波的超声波发射器，超声波发射器设置于清洗槽内。本实用新型实施方式中提供的光刻胶清除装置，有效清除半导体器件表面的光刻胶、且能够避免损伤半导体器件或造成半导体器件的电性损失。

技术领域

本实用新型实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种光刻胶清除装置。

背景技术

在半导体器件的制作工艺中，对半导体器件进行离子注入后，往往需要清除半导体器件表面的光刻胶。现有的清除半导体器件表面光刻胶的装置在清洗半导体器件表面的光刻胶时，直接利用等离子体轰击光刻胶，之后使用光刻胶清洗溶剂清洗半导体器件表面的光刻胶；或者使用HDIS(高剂量离子注入光刻胶去除)法通过温度处理灰化半导体器件表面的光刻胶。

然而，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：由于在对半导体器件进行离子注入后，光刻胶表面转换形成类金刚石或石墨分子结构的表皮“壳”，该表皮“壳”包裹的光刻胶内部存在挥发性溶剂及N2，因此在利用等离子体轰击光刻胶时容易爆裂，从而损伤半导体器件；而利用温度处理灰化半导体器件表面的光刻胶时，容易使得半导体器件表面氧化物的增加而造成半导体器件的电性损失。

实用新型内容

本实用新型实施方式的目的在于提供一种光刻胶清除装置，有效清除半导体器件表面的光刻胶、且能够避免损伤半导体器件或造成半导体器件的电性损失。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施方式提供了一种光刻胶清除装置，包括：用于容置光刻胶清洗溶剂的清洗槽，其中，光刻胶清洗溶剂用于清洗待清洗半导体器件；用于向待清洗半导体器件发射超声波的超声波发射器，超声波发射器设置于清洗槽内。

本实用新型实施方式相对于现有技术而言，提供了一种光刻胶清除装置，清洗槽内容置有光刻胶清洗溶剂，光刻胶清洗溶剂用于清洗待清洗半导体器件表面的光刻胶，且清洗槽内还设置有用于向待清洗半导体器件发射超声波的超声波发射器，利用本实施方式中的光刻胶清除装置清除待清洗半导体器件表面的光刻胶时，在光刻胶清洗溶剂中先利用超声波震碎待清洗半导体器件表面光刻胶的表皮“壳”，再由光刻胶清洗溶剂溶解掉表皮“壳”破裂后的光刻胶，可有效清除半导体器件表面的光刻胶；且由于光刻胶清洗溶剂可以有效缓冲部分光刻胶爆裂时的力度，从而避免对待清洗半导体器件表面造成损伤；且由于整个清洗过程均是在光刻胶清洗溶剂中进行的，可有效隔绝空气中的氧气不会造成半导体器件表面氧化物的增加，避免半导体器件的电性损失。

另外，还包括：开设于清洗槽上的排水孔、以及用于过滤光刻胶清洗溶剂的过滤器；排水孔通过管道连接过滤器。该方案中过滤器可过滤掉经排水孔排出的光刻胶清洗溶剂中的光刻胶表皮“壳”颗粒，极大地降低了光刻胶清洗溶剂中的颗粒物污染，有利于光刻胶清洗溶剂的重复使用。

另外，还包括：开设于清洗槽上的注水孔、以及将过滤后的光刻胶清洗溶剂引入注水孔的泵；过滤器通过管道连接泵，泵通过管道连接至注水孔。该方案中过滤器通过管道连接泵，泵通过管道连接至注水孔，泵可直接将过滤器过滤后的光刻胶清洗溶剂引入注水孔，注入清洗槽内，实现光刻胶清洗溶剂的循环使用。

另外，还包括：用于加热光刻胶清洗溶剂的加热器；加热器设置于过滤器和泵之间。该方案中由于加热状态下光刻胶清洗溶剂与光刻胶的反应速度更快，因此设置有加热器的光刻胶清除装置能够有效提升待清洗半导体器件的清洗效率。

另外，还包括：储水槽；储水槽设置于过滤器与泵之间。该方案中储水槽设置于过滤器与泵之间，从而方便存储过滤后的光刻胶清洗溶剂。

另外，还包括：用于加热光刻胶清洗溶剂的加热器；加热器设置于储水槽底部。