[实用新型]太阳能电池有效
| 申请号: | 201920979603.9 | 申请日: | 2019-06-26 |
| 公开(公告)号: | CN209729920U | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
| 发明(设计)人: | 王荣 | 申请(专利权)人: | 东泰高科装备科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/0236;H01L31/04 |
| 代理公司: | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸<国际申请>=<国际公布> |
| 地址: | 102200 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 纳米线层 太阳能电池 背电极 入射光 导电玻璃 模型层 光电转换效率 本实用新型 入射波长 不敏感 量子点 入射角 散射 反射 光程 陷光 捕获 吸收 | ||
本实用新型提供一种太阳能电池。该太阳能电池包括背电极、模型层、p型掺杂的InP纳米线层和导电玻璃,模型层、InP纳米线层和导电玻璃叠置于背电极的同一侧,且依次远离背电极分布,InP纳米线层中形成有n型掺杂的InP量子点。该太阳能电池能使入射光在InP纳米线层中进行多次散射,形成“陷光效应”,从而减少InP纳米线层表面的反射,增加太阳能电池内部的光程,同时,该InP纳米线层对入射光的入射角度,入射波长都不敏感,从而使InP纳米线层对入射光有很强的捕获能力,进而增加了光的吸收几率,提高了太阳能电池的光电转换效率。
技术领域
本实用新型属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种太阳能电池。
背景技术
航天卫星能源作为航天卫星的主要组成部分,其性能是支撑航天技术发展的关键因素之一。空间太阳能电池给卫星等太空飞行器提供电力,受到越来越广泛的关注,需要在较大范围额度光照强度和温度范围内正常工作,并且在太空会受到各种能量质子的辐射进而引起电池性能的衰降影响电源系统工作。要在恶劣的太空中工作,空间太阳能电池需要具备抗辐射性强、高散热性、能够承受发射过程中造成的机械振动、电池的重量要求等特性。
空间电池的发展经历了从Si到CdS,一直到最近的InGaP/GaAs/Ge高效多结太阳能电池。但是多结太阳能电池中包括多层结构制作工艺较复杂,无疑给生产带来较大的困难,也会极大程度的提高生产成本,同时电池的光电转换效率也不高。
实用新型内容
本实用新型针对现有技术中的问题,提供一种太阳能电池。该太阳能电池能使入射光在InP纳米线层中进行多次散射,形成“陷光效应”,从而减少InP纳米线层表面的反射,增加太阳能电池内部的光程,同时,该InP纳米线层对入射光的入射角度,入射波长都不敏感,从而使InP纳米线层对入射光有很强的捕获能力,进而增加了光的吸收几率,提高了太阳能电池的光电转换效率。
本实用新型提供一种太阳能电池,包括背电极、模型层、p型掺杂的InP纳米线层和导电玻璃,所述模型层、所述InP纳米线层和所述导电玻璃叠置于所述背电极的同一侧,且依次远离所述背电极分布,所述InP纳米线层中形成有n型掺杂的InP量子点。
优选地,所述模型层包括多个金字塔状的子单元,所述子单元呈阵列分布,且相邻所述子单元相互接触。
优选地,所述模型层采用PEN、蓝膜或硅氧烷材料。
优选地,所述模型层的厚度范围为200-2000nm。
优选地,所述InP纳米线层中纳米线的直径范围为50-500nm。
优选地,所述导电玻璃采用ITO材质。
优选地,所述导电玻璃的厚度范围为100-500nm。
本实用新型的有益效果:本实施例所提供的太阳能电池,通过采用设置于模型层上的,且内部嵌入n型掺杂的InP量子点的p型掺杂InP纳米线层,能使入射光在InP纳米线层中进行多次散射,形成“陷光效应”,从而减少InP纳米线层表面的反射,增加太阳能电池内部的光程,同时,该InP纳米线层对入射光的入射角度,入射波长都不敏感,从而使InP纳米线层对入射光有很强的捕获能力,进而增加了光的吸收几率,提高了太阳能电池的光电转换效率。
附图说明
图1为本实用新型实施例中太阳能电池的结构剖视示意图。
其中附图标记为:
1、背电极;2、模型层;21、子单元;3、InP纳米线层;4、导电玻璃;5、InP量子点。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本实用新型太阳能电池作进一步详细描述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





