[实用新型]一种PECVD特气管路

说明书

本实用新型为太阳电池领域，具体涉及一种PECVD特气管路，包括特气管，与其相连通的管道组件，所述特气管上均匀开设气孔；所述气孔面积相同，呈直线排列，其开孔方向面向硅片；所述管道组件包括相连通的第一管道组件、第二管道组件、第三管道组件和三通接头；所述气孔包括气孔本体和气流引导装置，所述气流引导装置位于气孔本体外侧，所述气流引导装置从上到下横截面逐渐缩小，包括第一引导装置和第二引导装置，所述第一引导装置位于第二引导装置下方，所述第二引导装置的高度为第一引导装置的一半。本实用新型所述的PECVD特气管路能够优化气流的均匀性，减少生产过程中的气孔堵塞，降低设备维护成本。

技术领域

本发明属于太阳电池领域，具体涉及一种PECVD特气管路。

背景技术

太阳能是一种绿色环保的新能源，利用太阳光发电的太阳能电池是对太阳能利用的最普遍的一种方式，其中制备氮化硅减反射膜是制造高效率太阳能电池的重要环节。氮化硅薄膜通常采用PECVD技术生成。PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)又称等离子体增强化学气相沉积法，PECVD技术原理是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。平板式PECVD特气通过腔体中气路管道的特气孔进入腔体，特气从气孔喷射出来的气流不是太均匀，且小孔四周也经常容易沉积氮化硅粉尘，导致特气孔被堵住，所以需要定期维护，以保证沉积薄膜的质量。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种PECVD特气管路。

为实现本实用新型的目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种PECVD特气管路，包括特气管，与其相连通的管道组件，所述特气管上均匀开设气孔；所述气孔面积相同，呈直线排列，其开孔方向面向硅片；所述管道组件包括相连通的第一管道组件、第二管道组件、第三管道组件和三通接头；所述三通接头的三个接口分别连接第一管道组件、第二管道组件第三管道组件的一端；所述气孔包括气孔本体和气流引导装置，所述气流引导装置位于气孔本体外侧，所述气流引导装置从上到下横截面逐渐缩小，包括第一引导装置和第二引导装置，所述第一引导装置位于第二引导装置下方，所述第一引导装置和第二引导装置的横剖面为圆形，纵剖面为梯形；所述第二引导装置的高度为第一引导装置的一半。

进一步的，所述第一引导装置和第二引导装置的横剖面与气孔本体的横剖面同圆心。

进一步的，所述气流引导装置材质为不锈钢。

进一步的，所述气孔数量为至少15个。

进一步的，所述气流引导装置以焊接方式固定在特气管上。

进一步的，三通接头的接口与第二管道组件的连通点在第二管道组件的右侧管体上，三通接头的接口与第三管道组件的连通点在第三管道组件的左侧管体上。

进一步的，所述第一引导装置的高度为0.8mm；其侧壁与水平面的角度为 60°。

进一步的，所述第二引导装置的高度为0.4mm；其侧壁与水平面的角度为 40°。

进一步的，所述气孔本体的直径为1mm。

进一步的，相邻两个气孔本体的中心距离为2.5～3mm。

相对于现有技术，本申请取得了以下有益效果：

本实用新型的设计方案能够有效改善平板式PECVD的气孔结构，优化气流的均匀性，减少生产过程中的气孔堵塞，降低设备维护成本。

本实用新型设计方案中的进气结构可以使进气更加均匀；进而改善电池片表面沉积的氮化硅薄膜的厚度均匀性。

附图说明