[实用新型]智能功率模块封装结构有效
| 申请号: | 201920934159.9 | 申请日: | 2019-06-20 |
| 公开(公告)号: | CN210073845U | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
| 发明(设计)人: | 陈健;吴桢生;汤桂衡;杨轲 | 申请(专利权)人: | 深圳市汇川技术股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/10 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518101 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 集成单元 智能功率 功能电路板 封装壳体 连接柱 内置 电路基板 安装腔 通孔 封装结构 智能功率模块 空间利用率 设计自由度 一体成型的 底部开口 位置处 密闭 底端 封堵 封装 开口 穿过 | ||
1.一种智能功率模块封装结构,其特征在于,包括智能功率集成单元及一体成型的封装壳体,其中:
所述智能功率集成单元包括功率电路基板、内置功能电路板以及用于信号传输及固定所述内置功能电路板的多个连接柱;所述内置功能电路板上开设有与所述多个连接柱对应的多个第一通孔,所述多个连接柱的底端均固定在所述功率电路基板上,所述多个连接柱的顶端分别通过所述多个第一通孔穿过所述内置功能电路板,并在与其对应的所述第一通孔处与所述内置功能电路板固定连接,使所述内置功能电路板堆栈层叠在所述功率电路基板上方;
所述封装壳体包括底部具有开口的安装腔,所述智能功率集成单元安装在所述安装腔内,且所述智能功率集成单元的功率电路基板封堵在所述安装腔的底部开口位置处,与所述封装壳体形成密闭的封装结构。
2.如权利要求1所述的智能功率模块封装结构,其特征在于,所述安装腔侧壁的底部设置有与所述功率电路基板相配合台阶式凹槽,所述功率电路基板通过粘接方式固定在台阶式凹槽位置处。
3.如权利要求1所述的智能功率模块封装结构,其特征在于,所述多个连接柱包括第一短连接柱和第二长连接柱,其中:
所述第一短连接柱的底端固定在所述功率电路基板上,所述第一短连接柱的顶端通过与其对应的第一通孔穿过所述内置功能电路板后不再延伸,且所述第一短连接柱在其所对应的第一通孔处与所述内置功能电路板固定连接;
所述第二长连接柱的底端固定在所述功率电路基板上,所述第二长连接柱的顶端通过与其对应的第一通孔穿过所述内置功能电路板并具有延伸部,且所述第二长连接柱在其所对应的第一通孔处与所述内置功能电路板固定连接;
所述封装壳体的上表面开设有多个第二通孔,所述多个第二通孔的数量大于或等于所述第二长连接柱的数量,所述第二长连接柱的延伸部通过与其对应的所述第二通孔穿过所述封装壳体的上表面。
4.如权利要求1所述的智能功率模块封装结构,其特征在于,所述多个连接柱包括第一短连接柱,所述第一短连接柱的底端固定在所述功率电路基板上,所述第一短连接柱的顶端通过与其对应的第一通孔穿过所述内置功能电路板后不再延伸,且所述第一短连接柱在其所对应的第一通孔处与所述内置功能电路板固定连接;
所述智能功率模块封装结构还包括多个第三长连接柱,所述第三长连接柱的底端固定在所述功率电路基板上,所述第三长连接柱的顶端避开所述内置功能电路板并具有延伸部;
所述封装壳体的上表面开设有多个第二通孔,所述多个第二通孔的数量大于或等于所述第三长连接柱的数量,所述第三长连接柱的延伸部通过与其对应的第二通孔穿过所述封装壳体的上表面。
5.如权利要求1所述的智能功率模块封装结构,其特征在于,所述封装壳体上开设有第一灌胶注入口,所述智能功率封装结构还包括绝缘硅胶,所述封装壳体与所述智能功率集成单元装配完成后,通过所述第一灌胶注入口将所述绝缘硅胶注满所述封装壳体与所述智能功率集成单元装配后形成的腔体。
6.如权利要求5所述的智能功率模块封装结构,其特征在于,所述内置功能电路板上开设有第二灌胶注入口,所述绝缘硅胶通过所述第二灌胶注入口注满所述内置功能电路板与所述功率电路基板之间的空间。
7.如权利要求6所述的智能功率模块封装结构,其特征在于,所述内置功能电路板与所述封装壳体侧壁的内表面之间具有间隙,所述绝缘硅胶通过所述间隙溢满所述封装壳体和所述智能功率集成单元粘接后形成的密封腔体。
8.如权利要求1所述的智能功率模块封装结构,其特征在于,所述内置功能电路板上焊接有连接器,所述封装壳体上开设有连接器延伸口,所述连接器通过所述连接器延伸口延伸出所述封装壳体与外界电路进行信号交互。
9.如权利要求1所述的智能功率模块封装结构,其特征在于,所述封装壳体的两侧分别设置有用于通过锁固件将所述智能功率模块封装结构固定在外部散热平面上的装配孔。
10.如权利要求9所述的智能功率模块封装结构,其特征在于,还包括形变抑制柱体,所述形变抑制柱体的顶端与所述封装壳体上顶部内表面中心部位相抵接,所述形变抑制柱体底端穿过所述内置功能电路板后与所述功率电路基板的上表面相抵接。
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