[实用新型]一种减小肖特基整流二极管封装座应力的连接片结构有效

专利信息
申请号: 201920862927.4 申请日: 2019-06-10
公开(公告)号: CN210006716U 公开(公告)日: 2020-01-31
发明(设计)人: 贺晓金;陆超;陈侃;孟繁新;莫宏康;牟哲仪 申请(专利权)人: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/49
代理公司: 52114 贵阳睿腾知识产权代理有限公司 代理人: 谷庆红
地址: 550018 贵州省*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 封装座 连接片 肖特基整流二极管 本实用新型 连接片结构 凹凸压痕 活动链接 上连接片 应力释放 崩裂 密封性 打弯 减小
【说明书】:

实用新型公开了一种减小肖特基整流二极管封装座应力的连接片结构,包括封装座本体(1)以及与封装座本体(1)活动链接的多个连接片(2),其特征在于:所述连接片(2)上靠近与封装座本体(1)的连接部(4)连接的部位设有孔(3)。封装座本体(1)上连接片(2)的孔(3),在封装座本体(1)与连接片(2)连接的连接部(4)受到强大向外的力时,能够有效的将其向外的应力释放,避免了连接部(4)发生崩裂,避免了肖特基整流二极管在打弯工序时,连接部(4)的表面出现凹凸压痕和密封性低的问题。

技术领域

本实用新型属于晶体管加工设备技术领域,具体涉及一种减小肖特基整流二极管封装座应力的连接片结构。

背景技术

肖特基二极管简称SBD,是一种以金属与半导体接触制作而成的晶体管结构,由于其本身具备反向恢复时间极短的特性,使得肖特基二极管在高频、低压、大电流整流、续流、保护、微波通信等电路中使用,最为常见用于的产品为通信电源和变频器。随着目前通信技术的发展和进步,目前肖特基二极管在100V、150V、200V产品的技术上已经成熟,同时由于新材料的出现,1KV的肖特基二极管也在技术上已经取得成功,未来例如5G、人工智能等通信设备的广泛使用,肖特基二极管将会被更多的使用,对其产品的需求量也会愈加增多。

鉴于未来对肖特基二极管需求量的不断增多,其批量化生产的工序是作为保证其产品质量的第一环节,目前肖特基整流二极管采用 SOT-227B封装座对其进行塑料封装,SOT-227B封装座上的连接片对其引脚进行打弯过程中,嵌套在塑封料中的连接片上的孔使引脚弯曲时,存在向外的应力,而塑封料承受的作用力有限,当超过最大承受力时,会出现塑封料发生崩裂的问题,如图2-5所示,使得产品的表面出现凹凸压痕,导致无法控制产品在安装时的空间,同时还会存在降低产品的密封性,影响产品内部结构的安全性。

实用新型内容

为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种减小肖特基整流二极管封装座应力的连接片结构。

本实用新型通过以下技术方案得以实现。

本实用新型提供的一种减小肖特基整流二极管封装座应力的连接片结构,包括封装座本体以及与封装座本体活动链接的多个连接片,其中,所述连接片上靠近与封装座本体的连接部连接的部位设有孔。

其中,所述连接片上的孔为通孔。

其中,所述连接片上的孔为均匀排布。

其中,所述连接片上的孔为圆孔。

其中,所述连接片上靠近与封装座本体的连接部连接的部位还设有凹槽。

其中,所述连接片的凹槽为半圆弧的凹槽。

其中,所述孔均匀排列设置在凹槽内。

本实用新型的有益效果在于:封装座本体上连接片的孔,在封装座本体与连接片连接的连接部受到强大向外的力时,能够有效的将其向外的应力释放,避免了连接部发生崩裂,避免了肖特基整流二极管在打弯工序时,连接部的表面出现凹凸压痕和密封性低的问题。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图;

图2是现有技术结构示意图;

图3是现有技术封装座本体的使用状态主视示意图;

图4是图3的主视图;

图5是图3的左视图。

图中:1-封装座本体;2-连接片;3-孔;4-连接部;5-凹槽。

具体实施方式

下面进一步描述本实用新型的技术方案,但要求保护的范围并不局限于所述。

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