[实用新型]一种干法刻蚀设备及其顶盖有效

专利信息
申请号: 201920859931.5 申请日: 2019-06-06
公开(公告)号: CN210015835U 公开(公告)日: 2020-02-04
发明(设计)人: 薛荣华;阚保国;刘家桦;叶日铨 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 31295 上海思捷知识产权代理有限公司 代理人: 王宏婧
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
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【说明书】:

实用新型提供的一种干法刻蚀设备及其顶盖,所述顶盖具有腔室,所述顶盖包括下顶盖和上顶盖,所述上顶盖盖合在所述下顶盖上,所述上顶盖远离所述下顶盖的一侧具有一把手,所述把手固定在所述上顶盖上。本实用新型的顶盖在保养时仅需要通过抓取把手将上顶盖移开即可,无需将整个顶盖一起移开,减轻了维修时需要移开的重量,便于操作,方便了维修人员的日常维护工作,预防了事故的发生。

技术领域

本实用新型设计半导体设备领域,特别涉及一种干法刻蚀设备及其顶盖。

背景技术

刻蚀(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术,实际上,狭义理解就是光刻腐蚀,先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理,然后通过其它方式实现腐蚀处理以移除所需除去的部分。通常刻蚀技术可以分为湿法刻蚀(wet etching)和干法刻蚀(dry etching)两类,它是半导体制造工艺、微电子制造工艺以及微纳米级制造工艺中的一种相当重要的步骤,是与光刻相联系的图形化(pattern)处理的主要工艺。

等离子刻蚀,是干法刻蚀中最常见的一种形式,其原理是:将暴露在电子区域的气体形成等离子体,等离子体通过电场加速时,会释放足够的能量,促使等离子体与材料表面发生反应。目前,在半导体行业中,干法刻蚀中的等离子刻蚀由于可以使电路图形变得更加精细,因此得到越来越广泛的使用。

等离子刻蚀设备中的上部电极的很多零部件都需要安装在气体室外顶壁上,为了保护该上部电极,通常在正常运行时需要在其上增加一具有腔室的顶盖。然而,现有的顶盖由于体积较大且比较重,在等离子刻蚀设备维护时,一个维护人员根本无法将其拿下来或盖上,而且,在拿下来或盖上的过程中很容易碰到安装在气体室外顶部的零部件造成零部件的损坏或者电路短路,造成事故的发生。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种干法刻蚀设备及其顶盖,以便于等离子刻蚀设备的维护,预防事故的发生。

为了解决上述问题,本实用新型提供了一种干法刻蚀设备的顶盖,所述顶盖具有腔室,所述顶盖包括下顶盖和上顶盖,所述上顶盖盖合在所述下顶盖上,所述上顶盖远离所述下顶盖的一侧具有一把手,所述把手固定在所述上顶盖上。

可选的,所述下顶盖为两端开口的环状壳体。

进一步的,所述上顶盖为板件,且所述顶盖的腔室形成在所述下顶盖内。

进一步的,所述上顶盖为一端开口的壳体。

更进一步的,所述上顶盖包括盖板和上子顶盖,所述盖板盖合在所述上子顶盖上,所述上子顶盖盖合在所述下顶盖上。

更进一步的,所述上子顶盖为两端开口的环状壳体,其形状与所述下顶盖匹配,所述盖板为板件,且所述顶盖的腔室形成在所述上子顶盖和下顶盖内。

更进一步的,所述上子顶盖和盖板一体成型。

可选的,所述上顶盖盖合在所述下顶盖上。

可选的,所述上顶盖朝向所述下顶盖一侧具有凸起,所述下顶盖朝向所述上顶盖一侧与所述凸起相匹配的凹槽,所述凸起设置在所述凹槽中。

本实用新型提供了一种干法刻蚀设备,包括上述所述的顶盖。

由于采用了以上技术方案,本实用新型具有以下有益效果:

本实用新型提供的一种干法刻蚀设备及其顶盖,所述顶盖具有腔室,所述顶盖包括下顶盖和上顶盖,所述上顶盖配合设置在所述下顶盖上,所述上顶盖远离所述下顶盖的一侧具有一把手,所述把手固定在所述上顶盖上。本实用新型的顶盖在保养时仅需要通过抓取把手将上顶盖移开即可,无需将整个顶盖一起移开,减轻了维修时需要移开的重量,便于操作,方便了维修人员的日常维护工作,预防了事故的发生。

附图说明

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