[实用新型]一种雪崩光电二极管有效
| 申请号： | 201920732693.1 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN209675304U | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 曾磊;李瑞鑫;王肇中 | 申请（专利权）人： | 武汉光谷量子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/107 |
| 代理公司： | 42225 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 邱云雷<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 430206 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 环形凹槽 非掺杂 雪崩光电二极管 本实用新型 层叠设置 衬底层 吸收层 围设 光电二极管 扩散 可重复性 使用性能 成品率 低噪声 高增益 环结构 台阶仪 槽壁 深槽 测量 监控 | ||
1.一种雪崩光电二极管，其特征在于，包括：
InP衬底层(1)；
层叠设置于所述InP衬底层(1)上的吸收层(3)；
层叠设置于所述吸收层(3)上的非掺杂InP层(6)，所述非掺杂InP层(6)上开设有环形凹槽(7)，及由所述环形凹槽(7)围设而成的台阶(8)，沿所述环形凹槽(7)的槽壁和槽底及沿所述台阶(8)的底部形成扩散了P型导电杂质的P型导电区域(9)。
2.如权利要求1所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于：还包括分别设置于雪崩光电二极管上下两侧的P电极(11)和N电极(12)。
3.如权利要求2所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于：所述P电极(11)设置于所述台阶(8)上。
4.如权利要求2所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于：所述N电极(12)为中空的环形。
5.如权利要求4所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于：所述InP衬底层(1)为高掺杂InP层，所述N电极(12)设置于所述InP衬底层(1)上。
6.如权利要求2所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于：所述P电极(11)为中空的环形。
7.如权利要求6所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于：所述P电极(11)设置于所述环形凹槽(7)内。
8.如权利要求2所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于：所述InP衬底层(1)与所述吸收层(3)之间还设置有InP缓冲层(2)。
9.如权利要求8所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于：所述InP缓冲层(2)为高掺杂InP层，所述P型导电区域(9)周边为P型周边区域(10)，由所述P型周边区域(10)开设有连通至InP缓冲层(2)的通槽(13)，所述N电极(12)设置于所述InP缓冲层(2)上。
10.如权利要求1所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于：所述吸收层(3)与所述非掺杂InP层(6)之间还依次层叠设置有InGaAsP过渡层(4)和InP电荷层(5)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
