[实用新型]基板加热处理装置

说明书

本实用新型公开一种基板加热处理装置，其包含一腔室、一加热盘，设置在所述腔室内，用以支撑和加热放在所述加热盘上的一基板、一上盖加热器，设置于所述加热盘上方，以及一可动空气调节闸门，用以在一热处理过程中控制进入处理空间的空气流量。所述可动空气调节闸门环绕所述加热盘和所述处理空间，并在所述热处理过程中关闭介于所述上盖加热器和所述加热盘之间的一周围开口。

技术领域

本实用新型涉及一种改良的半导体晶片处理装置，特别是涉及一种可改善晶片表面上膜厚均匀性的半导体基板加热处理装置。

背景技术

光刻(photolithography)技术是半导体元件制造制作工艺中的一个重要步骤，其利用曝光(exposure)和显影(development)在光致抗蚀剂层上刻画几何图形结构，然后通过蚀刻制作工艺将光掩模上的图形转移到晶片上。

通常，在晶片表面涂布光致抗蚀剂层后，需再以软烤(soft bake)处理，这一步骤也被称为前烘(pre-bake)。在前烘过程中，由于溶剂挥发，光致抗蚀剂层厚度也会减薄，一般减薄的幅度为10％－20％左右。一般，上述烘烤基板上光致抗蚀剂层是在一基板加热处理装置内进行的。

然而，现有技术的基板加热处理装置的缺点是形成在基板上的光致抗蚀剂膜经烘烤后的膜厚均匀性不佳，例如，在晶片中央的光致抗蚀剂层的膜厚会大于晶片周边的光致抗蚀剂层的膜厚，因此影响到后续半导体制作工艺的良率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供了一种改良的半导体基板加热处理装置，可以解决上述现有技术的不足与缺点。

为达上述目的，本实用新型提供了一种基板加热处理装置，包含：一腔室、一加热盘，设置在所述腔室内，用以支撑和加热放在所述加热盘上的一基板、一上盖加热器，设置于所述加热盘上方，以及一可动空气调节闸门。在所述上盖加热器和所述加热盘之间定义有一处理空间。所述可动空气调节闸门用以在一热处理过程中控制进入所述处理空间的空气流量，其中所述可动空气调节闸门环绕所述加热盘和所述处理空间，并在所述热处理过程中关闭介于所述上盖加热器和所述加热盘之间的一周围开口。

根据一实施例，所述加热盘为一碟型加热盘，并且包含一加热件，埋设在所述加热盘的一底部。

根据一实施例，所述基板加热处理装置另包含：多个升降栓，通过所述加热盘，用以升高所述基板至一抬起位置。

根据一实施例，其中所述基板经过所述热处理过程后，所述多个升降栓降回所述加热盘的一上表面中。

根据一实施例，所述可动空气调节闸门包含：一外环形遮板，可通过一升降装置垂直移动；以及一内环形遮板，与所述外环形遮板共同垂直移动，并且可通过一马达水平转动。

根据一实施例，所述外环形遮板包含多个第一孔洞，内环形遮板包括多个第二孔洞，并且其中通过重叠所述多个第一孔洞和所述多个第二孔洞来调节进入所述处理空间的空气流量。

根据一实施例，其中所述多个第一孔洞具有与所述多个第二孔洞不同的孔径。

根据一实施例，根据涂覆在所述基板上的光致抗蚀剂类型来决定流入所述处理空间内的空气流量。

根据一实施例，所述基板加热处理装置另包含：一连续的、环状的缝隙，介于所述外环遮板和所述内环遮板之间。

根据一实施例，所述基板加热处理装置另包含：一排气口，设置在所述上盖加热器内并且位于所述腔室的一中央区域。

本实用新型的优点在于，该基板加热处理装置利用外环形遮板与内环形遮板构成可动空气调节闸门，用以控制进入处理空间的气流，并根据涂覆在所述基板上的光致抗蚀剂类型决定流入所述处理空间内的空气流量，如此解决在基板上的光致抗蚀剂膜经烘烤后的膜厚均匀性不佳的问题。