[实用新型]基板加热处理装置有效
| 申请号： | 201920484966.5 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN209515619U | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 马志超;林国豪;谈文毅 | 申请（专利权）人： | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 361100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 加热盘 加热器 热处理过程 处理空间 处理装置 基板加热 空气调节 可动 上盖 闸门 本实用新型 空气流量 基板 加热 开口 环绕 室内 支撑 | ||
1.一种基板加热处理装置，其特征在于，该基板加热处理装置包含：
腔室；
加热盘，设置在所述腔室内，用以支撑和加热放在所述加热盘上的基板；
上盖加热器，设置于所述加热盘上方，其中在所述上盖加热器和所述加热盘之间定义有处理空间；以及
可动空气调节闸门，用以在一热处理过程中控制进入所述处理空间的空气流量，其中所述可动空气调节闸门环绕所述加热盘和所述处理空间，并在所述热处理过程中关闭介于所述上盖加热器和所述加热盘之间的周围开口。
2.如权利要求1所述的基板加热处理装置，其特征在于，所述加热盘为碟型加热盘，并且包含加热件，埋设在所述加热盘的底部。
3.如权利要求1所述的基板加热处理装置，其特征在于，另包含：
多个升降栓，通过所述加热盘，用以升高所述基板至一抬起位置。
4.如权利要求3所述的基板加热处理装置，其特征在于，所述基板经过所述热处理过程后，所述多个升降栓降回所述加热盘的上表面中。
5.如权利要求1所述的基板加热处理装置，其特征在于，所述可动空气调节闸门包含：
外环形遮板，可通过一升降装置垂直移动；以及
内环形遮板，与所述外环形遮板共同垂直移动，并且可通过一马达水平转动。
6.如权利要求5所述的基板加热处理装置，其特征在于，所述外环形遮板包含多个第一孔洞，内环形遮板包括多个第二孔洞，并且其中通过重叠所述多个第一孔洞和所述多个第二孔洞来调节进入所述处理空间的空气流量。
7.如权利要求6所述的基板加热处理装置，其特征在于，所述多个第一孔洞具有与所述多个第二孔洞不同的孔径。
8.如权利要求1所述的基板加热处理装置，其特征在于，根据涂覆在所述基板上的光致抗蚀剂类型来决定流入所述处理空间内的空气流量。
9.如权利要求5所述的基板加热处理装置，其特征在于，另包含：
连续的、环状的缝隙，介于所述外环遮板和所述内环遮板之间。
10.如权利要求1所述的基板加热处理装置，其特征在于，另包含：
排气口，设置在所述上盖加热器内并且位于所述腔室的中央区域。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
