[实用新型]磁性随机存储器有效
| 申请号： | 201920478175.1 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN209658234U | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 平尔萱;朱一明 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 31294 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 孙佳胤;董琳<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁性随机存储器 磁性存储单元 磁性存储层 基底表面 存储层 磁性隧道结 导电接触 垂直贯穿 菱形阵列 阵列形式 堆叠 基底 两层 排布 | ||
1.一种磁性随机存储器，其特征在于，包括：
基底，所述基底表面形成有导电接触垫；
位于所述基底表面的磁性存储层，所述磁性存储层包括位于基底表面堆叠的至少两层子存储层，所述磁性存储层内包括垂直贯穿各子存储层且与所述导电接触垫连接的多个磁性存储单元，所述多个磁性存储单元按照菱形阵列单元的阵列形式排布，所述磁性存储单元包括磁性隧道结，每一子存储层内包括至少一个磁性隧道结。
2.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，各菱形阵列单元的尺寸相同。
3.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，所述多个磁性存储单元的磁性隧道结随机排布于各子存储层内。
4.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，相邻磁性存储单元的磁性隧道结分别位于不同的子存储层内。
5.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，各子存储层内的磁性隧道结以阵列形式排布。
6.根据权利要求5所述的磁性随机存储器，其特征在于，各子存储层内的磁性隧道结以菱形阵列单元或矩形阵列单元的阵列形式排布。
7.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，所述磁性存储层内，相邻磁性存储单元之间的间距为a；同一子存储层内，相邻磁性隧道结之间的最小间距为n为所述磁性存储层内的子存储层的层数。
8.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，同一行以及同一列的磁性存储单元的磁性隧道结自基底表面向上顺次位于各子存储层内。
9.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，各磁性存储单元还包括导电柱，所述导电柱位于所在磁性存储单元内的磁性隧道结上和/或下方的子存储层内，与所述磁性隧道结电连接。
10.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，所述磁性存储层的相邻磁性存储单元之间填充有介质层。
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