[实用新型]一种显示面板和显示装置有效
申请号: | 201920460774.0 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN209843712U | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 卓恩宗;韦超 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司;滁州惠科光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 44240 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) | 代理人: | 邢涛 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示区 显示面板 第一开关 氧化铟镓锌 第一基板 非显示区 感光电流 开关形成 像素 源层 读取 待检测光 开关电性 显示装置 像素设置 耦合 开口率 触控 减小 外围 检测 申请 | ||
本申请公开了一种显示面板和显示装置,显示面板划分为显示区和非显示区,非显示区位于所述显示区外围,显示面板包括第一基板,第一基板包括:像素、第一开关、第二开关和第三开关;像素设置在所述显示区;第一开关形成在显示区上,耦合于所述像素;第二开关形成在显示区上,检测待检测光的强度,并产生感光电流;第三开关形成在显示区上,与第二开关电性连接,读取第二开关产生的感光电流;其中,第一开关、第二开关、和第三开关的有源层均采用氧化铟镓锌材料制成。第一开关、第二开关、和第三开关的有源层均采用氧化铟镓锌材料制成,减小了触控型显示面板的开口率,增加显示面板的性能。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示面板(Thin Film Transistor-LCD,TFT-LCD) 近年来得到了飞速地发展和广泛地应用。就主流市场上的TFT-LCD显示面板而言,一般包括阵列基板和彩膜基板,在阵列基板上形成薄膜晶体管,薄膜晶体管控制像素电极的开关,薄膜晶体管打开时,像素电极产生电压,使得液晶分子发生偏转,显示画面;薄膜晶体管的有源层材料分为非晶硅薄膜晶体管、低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管和氧化物有源层薄膜晶体管。
为了实现触控功能等,显示面板需要设置感光元件,但是感光元件的设置使得显示面板的开口率低,影响显示面板的性能。
实用新型内容
本申请的目的是提供一种显示面板和显示装置,提高显示面板的开口率,增加显示面板的性能。
本申请公开了一种显示面板,划分为显示区和非显示区,所述非显示区设置在所述显示区外围,所述显示面板包括第一基板,所述第一基板包括:像素、第一开关、第二开关和第三开关;所述像素设置在所述显示区;所述第一开关形成在所述显示区上,耦合于所述像素;所述第二开关形成在所述显示区上,检测待检测光的强度,并产生感光电流;所述第三开关形成在所述显示区上,与所述第二开关电性连接,读取所述第二开关产生的感光电流;其中,所述第一开关、第二开关、和第三开关的有源层均采用氧化铟镓锌材料制成。
可选的,所述第一开关包括依次形成的第一栅极层、第一层间绝缘层、由所述氧化铟镓锌材料制成的第一有源层、第一源极层、第一漏极层、第一保护层和第一平坦层;所述第二开关包括依次形成的第二栅极层、第二层间绝缘层、由所述氧化铟镓锌材料制成的第二有源层、第二源极层、第二漏极层、第二保护层和第二平坦层;所述第三开关包括依次形成的第三栅极层、第三层间绝缘层、由所述氧化铟镓锌材料制成的第三有源层、第三源极层、第三漏极层、第三保护层和第三平坦层;所述第一有源层、第二有源层和第三有源层通过同一制程形成。
可选的,所述第一基板还包括衬底和第四开关,所述第四开关包括依次形成在衬底上的缓冲层、第四有源层、栅极绝缘层、第四栅极层、第四层间绝缘层、第四源极层、第四漏极层、第四保护层和第四平坦层;所述第四栅极层、第一栅极层、第二栅极层和第三栅极层通过同一制程形成。
可选的,所述第一层间绝缘层、第二层间绝缘层、第三层间绝缘层和第四层间绝缘层通过同一制程形成;所述第一源极层、第一漏极层、第二源极层、第二漏极层、第三源极层、第三漏极层和第四源极层、第四漏极层通过同一制程形成;所述第一保护层、第二保护层、第三保护层和第四保护层通过同一制程形成;所述第一平坦层、第二平坦层、第三平坦层和第四平坦层通过同一制程形成。
可选的,所述第四有源层采用低温多晶硅材料制成。
可选的,所述第四有源层包括本征层、以所述本征层为中心对称设置的两个第一掺杂层,并与所述本征层连接;以及以所述本征层为中心对称设置的两个第二掺杂层,与所述本征层间隔设置,连接所述第一掺杂层;其中,所述第四源极层和第四漏极层通过所述第四层间介质层的过孔连接所述第二掺杂层。
可选的,所述显示面板包括遮光层,所述遮光层对应所述第二开关的第二有源层设置有镂空部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的