[实用新型]一种改善白色像素点的隔离结构

说明书

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种改善白色像素点的隔离结构，适用于接触式图像传感器，接触式图像传感器包括复数个有源区，其中包括：每个有源区上包括多个器件区及与器件区一一对应的逻辑区；每个有源区中设有连接相邻有源区中位置对应的逻辑区的多个隔离结构。本实用新型的技术方案有益效果：提供一种改善白色像素点的隔离结构，通过改变器件区的隔离结构，有效增强电子抽取处的隔离，减少漏电的产生，从而减少白色像素污点。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种改善白色像素点的隔离结构。

背景技术

近年来，随着半导体技术的快速发展，接触式图像传感器(Contact ImageSensor，CIS)，用在扫描仪中，是将感光单元紧密排列，直接收集被扫描稿件反射的光线信息，由于本身造价低廉，又无需透镜组，所以可以制作出结构更为紧凑的扫描仪，成本也大大降低。

如图1所示，在现有技术中，55纳米互补式金属氧化物半导体图像传感器包括器件区与逻辑区，理论上器件区中存储的电子应该全部都是光电二极管中的光子转化而来，但是由于器件区存在金属离子杂质或者缺陷，会产生漏电流，产生白色像素点，因此需要采取措施增强隔离，减少漏电流的产生。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种改善白色像素点的隔离结构。

具体技术方案如下：

一种改善白色像素点的隔离结构，适用于接触式图像传感器，所述接触式图像传感器包括复数个有源区，其中包括：

每个所述有源区上包括多个器件区及与所述器件区一一对应的逻辑区；

每个所述有源区中设有连接相邻有源区中位置对应的逻辑区的多个隔离结构。

优选的，所述隔离结构的中部至少设置一个凸起。

优选的，所述隔离结构的中部设置两个所述凸起，且两个所述凸起对称分布于所述隔离结构的两侧。

优选的，所述隔离结构由P型离子注入。

优选的，所述隔离结构连接所述逻辑区接地端。

优选的，至少两个所述有源区水平平行设置。

优选的，至少两个所述隔离结构相对于所述有源区竖直平行设置。

本实用新型的技术方案有益效果：提供一种改善白色像素点的隔离结构，通过改变器件区的隔离结构，有效增强电子抽取处的隔离，减少漏电的产生，从而减少白色像素污点。

附图说明

参考所附附图，以更加充分的描述本实用新型的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本实用新型范围的限制。

图1为现有技术中的隔离结构的结构图；

图2为本实用新型的实施例的改善白色像素点的隔离结构的结构图；

图3为本实用新型的实施例的改善白色像素点性能的实验数据表格。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，但不作为本实用新型的限定。