[实用新型]一种制备二维薄膜材料的化学气相沉积装置有效
申请号: | 201920315136.X | 申请日: | 2019-03-13 |
公开(公告)号: | CN209890731U | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 蔡金明;侯元捷;蔡晓明 | 申请(专利权)人: | 广东墨睿科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/50 |
代理公司: | 44450 东莞科强知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 肖冬 |
地址: | 523000 广东省东莞市道滘镇万道路*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主腔体 反应气体 进气孔 气源 主腔 等离子体增强 本实用新型 抽真空系统 反应腔体 活性增强 置物口 进气口 化学气相沉积装置 体内 二维薄膜材料 温度测量装置 温度显示装置 真空测量装置 进气口连接 温度传感器 等离子化 反应周期 加热装置 温度降低 测量头 开合门 体内部 法兰 制备 气管 出口 人口 | ||
1.一种制备二维薄膜材料的化学气相沉积装置,其包括:
气源,用于提供碳氢气体;
反应腔体,其设有进气口和置物口,置物口设有开合门;
主腔体,所述反应腔体位于主腔体内;主腔体内部设有用于对反应腔体加热的加热装置,表面设有进气孔,进气孔通过气管与进气口连接;
温度测量装置,包括设置于反应腔体内部或表面的温度传感器以及用于显示温度的温度显示装置;
抽真空系统,抽真空系统与主腔体连接,用于降低主腔体内部的气压;
真空测量装置,连接于主腔体,其包括插入主腔体内的测量头;
其特征在于:还包括:等离子体增强装置,其设置于气源与主腔体之间,等离子体增强装置设有活性增强入口和活性增强出口,气源通过管道与活性增强入口连接,活性增强出口通过法兰与进气孔连接;气体通过等离子体增强装置进入到主腔体内的反应腔体。
2.根据权利要求1所述的一种制备二维薄膜材料的化学气相沉积装置,其特征在于:所述管道连接有用于控制气体流量的气体流量控制阀。
3.根据权利要求1所述的一种制备二维薄膜材料的化学气相沉积装置,其特征在于:气管还连接有开关阀。
4.根据权利要求1所述的一种制备二维薄膜材料的化学气相沉积装置,其特征在于:所述反应腔体内设有用于放置基底的样品架。
5.根据权利要求1所述的一种制备二维薄膜材料的化学气相沉积装置,其特征在于:温度显示装置包括温度仪表或显示器。
6.根据权利要求1所述的一种制备二维薄膜材料的化学气相沉积装置,其特征在于:所述等离子体增强装置包括射频电源装置、微波装置、辉光放电装置、电子回旋共振装置或电感耦合装置等离子源。
7.根据权利要求1所述的一种制备二维薄膜材料的化学气相沉积装置,其特征在于:主腔体与抽真空系统之间设有阀门。
8.根据权利要求1所述的一种制备二维薄膜材料的化学气相沉积装置,其特征在于:所述抽真空系统包括机械泵和分子泵。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的