[实用新型]一种适用于MALDI-TOF质谱的浓缩型一次性靶板有效

专利信息
申请号: 201920314167.3 申请日: 2019-03-12
公开(公告)号: CN209878665U 公开(公告)日: 2019-12-31
发明(设计)人: 李晓鸥;高利艳;顾好粮;王晓东;韩卫东 申请(专利权)人: 北京东西分析仪器有限公司
主分类号: G01N27/64 分类号: G01N27/64
代理公司: 11100 北京北新智诚知识产权代理有限公司 代理人: 刘茵
地址: 102308 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 靶板 支撑座 芯片 导电 亲水 点阵 覆膜 疏水 不锈钢金属 导电性材料 导电材料 导电连接 交叉污染 可拆卸 灵敏度 浓缩型 一次性 基板 质谱 清洗 覆盖
【权利要求书】:

1.一种适用于MALDI-TOF质谱的浓缩型一次性靶板,其特征在于,其是由导电支撑座(1)和芯片靶板(2)组成,芯片靶板(2)可拆卸地固定在导电支撑座(1)上,芯片靶板与导电支撑座之间为可导电连接;

芯片靶板(2)的基板由导电性材料制成,其上覆盖疏水覆膜(21),在疏水覆膜(21)上设置亲水导电材料构成的亲水点阵(22),亲水点阵(22)中每个点的外径为100微米到1毫米。

2.如权利要求1所述的浓缩型一次性靶板,其特征在于,所述导电支撑座(1)由导电金属做成,该导电金属为不锈钢或者铝合金;导电支撑座(1)与芯片靶板(2)之间通过铁磁性材料可拆卸地连接。

3.如权利要求1所述的浓缩型一次性靶板,其特征在于,所述芯片靶板(2)的基板采用单晶硅片,硅片厚度为500微米到700微米,单面抛光,在抛光面上具有厚度为100纳米到500纳米的二氧化硅层,基板的电阻率为0.01-0.02欧姆/厘米。

4.如权利要求1所述的浓缩型一次性靶板,其特征在于,所述疏水覆膜(21)的材料为聚二甲基硅氧烷,采用镀膜或者喷涂的方式涂覆,疏水覆膜的厚度为2微米到5微米。

5.如权利要求1-4中任一项所述的浓缩型一次性靶板,其特征在于,所述亲水点阵(22)为采用光刻掩膜板、磁控溅射或者蒸馏的方式点镀亲水金属,该亲水金属选自铝、金或镍,点的面积大小一致,金属层的厚度为100纳米~300纳米。

6.如权利要求5所述的浓缩型一次性靶板,其特征在于,所述亲水点阵的位置上底层为金属铬镀层,上层为亲水金属层,该亲水金属选自铝、金或镍。

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