[实用新型]一种光电二极管有效

专利信息
申请号: 201920293851.8 申请日: 2019-03-07
公开(公告)号: CN209282210U 公开(公告)日: 2019-08-20
发明(设计)人: 曾莹;阮文彪 申请(专利权)人: 地太科特电子制造(北京)有限公司
主分类号: H01L31/02 分类号: H01L31/02;H01L31/115;H01L31/18
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 蒋冬梅;栗若木
地址: 100176 北京市大兴区北京经*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 衬底 直通孔 光电二极管 阴极 阳极 背面 穿透 光电转换 快速响应 量子效率 申请
【权利要求书】:

1.一种光电二极管,其特征在于,包括:阳极、阴极、衬底、第一直通孔以及第二直通孔,所述阳极和所述阴极设置在所述衬底的正面,所述第一直通孔穿透所述衬底,将所述阳极引到所述衬底的背面,所述第二直通孔穿透所述衬底,将所述阴极引到所述衬底的背面。

2.根据权利要求1所述的光电二极管,其特征在于,在所述第一直通孔和所述第二直通孔内,分别沿孔中心向外依次填充有填充层、电性连接层以及隔离层;所述第一直通孔的电性连接层连接所述阳极,所述第二直通孔的电性连接层连接所述阴极。

3.根据权利要求1所述的光电二极管,其特征在于,所述衬底包括:衬底层、第一型掺杂区以及第二型掺杂区;所述阳极包括第一金属件,所述阴极包括第二金属件,所述第一型掺杂区的表面连接所述第一金属件,所述第二型掺杂区的表面连接所述第二金属件。

4.根据权利要求3所述的光电二极管,其特征在于,所述衬底层为N型衬底层,所述第一型掺杂区为P型掺杂区,所述第二型掺杂区为N型掺杂区。

5.根据权利要求1所述的光电二极管,其特征在于,所述光电二极管还包括:第一保护层,所述第一保护层覆盖所述衬底的正面、所述阴极以及所述阳极。

6.根据权利要求1所述的光电二极管,其特征在于,所述光电二极管还包括:第一金属片和第二金属片,所述第一金属片和所述第二金属片设置在所述衬底的背面,所述第一金属片通过所述第一直通孔连接所述阳极,所述第二金属片通过所述第二直通孔连接所述阴极。

7.根据权利要求6所述的光电二极管,其特征在于,所述光电二极管还包括:第二保护层,所述第二保护层覆盖所述衬底的背面、所述第一金属片的一部分以及所述第二金属片的一部分。

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