[实用新型]一种光电二极管有效
申请号: | 201920293851.8 | 申请日: | 2019-03-07 |
公开(公告)号: | CN209282210U | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 曾莹;阮文彪 | 申请(专利权)人: | 地太科特电子制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/115;H01L31/18 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 蒋冬梅;栗若木 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 直通孔 光电二极管 阴极 阳极 背面 穿透 光电转换 快速响应 量子效率 申请 | ||
1.一种光电二极管,其特征在于,包括:阳极、阴极、衬底、第一直通孔以及第二直通孔,所述阳极和所述阴极设置在所述衬底的正面,所述第一直通孔穿透所述衬底,将所述阳极引到所述衬底的背面,所述第二直通孔穿透所述衬底,将所述阴极引到所述衬底的背面。
2.根据权利要求1所述的光电二极管,其特征在于,在所述第一直通孔和所述第二直通孔内,分别沿孔中心向外依次填充有填充层、电性连接层以及隔离层;所述第一直通孔的电性连接层连接所述阳极,所述第二直通孔的电性连接层连接所述阴极。
3.根据权利要求1所述的光电二极管,其特征在于,所述衬底包括:衬底层、第一型掺杂区以及第二型掺杂区;所述阳极包括第一金属件,所述阴极包括第二金属件,所述第一型掺杂区的表面连接所述第一金属件,所述第二型掺杂区的表面连接所述第二金属件。
4.根据权利要求3所述的光电二极管,其特征在于,所述衬底层为N型衬底层,所述第一型掺杂区为P型掺杂区,所述第二型掺杂区为N型掺杂区。
5.根据权利要求1所述的光电二极管,其特征在于,所述光电二极管还包括:第一保护层,所述第一保护层覆盖所述衬底的正面、所述阴极以及所述阳极。
6.根据权利要求1所述的光电二极管,其特征在于,所述光电二极管还包括:第一金属片和第二金属片,所述第一金属片和所述第二金属片设置在所述衬底的背面,所述第一金属片通过所述第一直通孔连接所述阳极,所述第二金属片通过所述第二直通孔连接所述阴极。
7.根据权利要求6所述的光电二极管,其特征在于,所述光电二极管还包括:第二保护层,所述第二保护层覆盖所述衬底的背面、所述第一金属片的一部分以及所述第二金属片的一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的