[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201920283086.1 | 申请日： | 2019-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN209747453U | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;袁根如;张楠;马艳红;陈朋 | 申请（专利权）人： | 上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 余明伟<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201209 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 保护层 生长 金属氧化物层 半导体器件 凸起结构 金属层 复合 半导体器件结构 干法刻蚀工艺 半导体介质 本实用新型 衬底上表面 周期性间隔 衬底接触 刻蚀气体 生长窗口 外延晶体 聚合物 膜层 制备 平整 污染 保证 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
一复合衬底，所述复合衬底包括：生长衬底；凸起结构，呈周期性间隔分布于所述生长衬底上表面，所述凸起结构包括与所述生长衬底接触的金属层或金属氧化物层保护层以及位于保护层之上的半导体介质膜层；
氮化物缓冲层，位于所述复合衬底上表面，完全覆盖凸起结构以及凸起结构之间暴露的生长衬底；
外延过渡层，位于氮化物缓冲层表面，完全填满所述凸起结构之间的间隙；
N型外延层，位于所述外延过渡层表面；
量子阱层，位于所述N型外延层表面；
P型外延层，位于所述量子阱层表面；
P电极与N电极，分别用于所述P型外延层与所述N型外延层的电引出。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件的结构为正装结构、倒装结构或者垂直结构。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层或金属氧化物层保护层的材料包括镍(Ni)、钛(Ti)、钛的氧化物(TiOx)或铟锡氧化物(ITO)。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层或金属氧化物层保护层的厚度为
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述生长衬底的材料包括Al2O3、SiC、Si、ZnO、GaN。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述凸起结构的形状包括圆柱、方柱、圆锥、或蒙古包。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
