[实用新型]一种基于压接式IEGT的大容量自冷型直流断路器组件

说明书

本实用新型提出了一种基于压接式IEGT的大容量自冷型直流断路器组件，包括上盖板、下盖板，所述上盖板和下盖板上之间设有三根绝缘拉杆，所述上盖板和下盖板之间相对的面上设有第一调整机构和第二调整机构，所述第一调整机构和第二调整机构之间设有压接散热机构；所述下盖板处设有电源模块，所述压接散热机构两端设有连接端子，本组件使用了三根绝缘拉杆，拉动上盖板和下盖板，三个拉杆能够确定一个平面，有效保证压力的稳定性，保证每个IEGT受力均匀；特别设置的绝缘块，内部为中空结构，中间填充有冲压钢块，既能实现绝缘效果，又增加了强度，保证整个结构压合时能够承受较高的力。

技术领域

本实用新型涉及IEGT散热领域，尤其涉及基于压接式IEGT的大容量自冷型直流断路器组件。

背景技术

随着海上风电和能源互联网的兴起，对于紧凑型全控型高压大容量变流器的需求也越来越迫切。目前模块式IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)的电压最高可以做到6500V，电流可以做到750A，相对容量较大的模块电压可以做到4500V，电流可以做到1200A。模块式IGBT的容量限制了高压大容量变流器的容量，为了达到更大容量，比如4MVA以上，必须采用模块式IGBT并联或基于模块式IGBT的拓扑并联。由于模块式IGBT额定电流小且只能单面散热，导致相同大容量下体积和重量较大。IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor,IEGT)是东芝公司推出的商用化双面散热全控器件，目前最高容量达到3000A/4500V，非常适用于高压大容量变流器。

目前见到的采用IEGT的大容量变流器，有发明专利ZL201010121677.2和ZL201210272186.7，ZL201020128033.1等。又如专利号为：201810968678.7的发明专利公开了一种基于压接式IEGT的三电平大容量水冷变流器组件，其使用的是水冷的方式，但水冷的方式增加了整个装置的厚度，并且其公开的方式，压接不稳定，使得IEGT的压接受力不均，并且绝缘板的强度不大，无法承受较高的压力。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提出了一种基于压接式IEGT的大容量自冷型直流断路器组件，包括上盖板、下盖板，所述上盖板和下盖板上之间设有三根绝缘拉杆，所述上盖板和下盖板之间相对的面上设有第一调整机构和第二调整机构，所述第一调整机构和第二调整机构之间设有压接散热机构；所述下盖板处设有电源模块，所述压接散热机构两端设有连接端子；

所述压接散热机构包括位于所述连接端子一侧的第一绝缘板、位于所述连接端子另一侧叠置的若干散热模组，所述散热模组包括第二绝缘板、铝块，所述第二绝缘板和铝块之间压有IEGT芯片。

优选的，所述第一调整机构包括穿过所述上盖板的第一限位块、位于所述第一限位块与所述第一绝缘板之间的第一垫块，所述第一限位块中心穿过有调整钉，所述调整钉底部与所述第一垫块之间设有钢球。

优选的，所述垫块面向所述调整钉的一端中心设有内陷圆弧，另一端中心设有柱形槽。

优选的，所述第一垫块由铝青铜制成。

优选的，所述第二调整机构包括穿过所述下盖板的第二限位块，所述第二限位块包括中空T形结构，所述第二限位块内设有碟簧，所述碟簧上压有第二垫块，所述第二垫块为T形并伸于所述碟簧中心，所述第二限位块端部固定有限位钉，所述限位钉端部伸于所述第二垫块内。

优选的，所述上盖板和下盖板的三个面上设有挡板，一所述挡板上设有支撑板，所述支撑板上固定有驱动极，所述驱动极对应所述IEGT芯片。

优选的，所述第二垫块由铝青铜制成。

优选的，两个所述连接端子穿过所述挡板。

优选的，所述绝缘拉杆包括杆体，所述杆体一端固定于所述下盖板上，另一端通过螺帽固定于上盖板上。