[实用新型]IGBT半桥模块

说明书

本实用新型公开了一种IGBT半桥模块，包括：底板、芯片单元、陶瓷覆铜板、功率端子、信号端子和信号端子座；芯片单元包括IGBT芯片和FRD芯片；信号端子包括栅极信号端子和发射极信号端子，信号端子都直接焊接在陶瓷覆铜板上，IGBT芯片的栅极通过铝线键合在陶瓷覆铜板上并引出到对应的栅极信号端子上，IGBT芯片的发射极通过铝线键合在陶瓷覆铜板上并引出到对应的发射极信号端子上；陶瓷覆铜板直接焊接在所述底板上；信号端子支撑在对应的信号端子座上。本实用新型能实现在制造或使用过程中提高产品的生产效率和产品质量。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体集成电路封装装置，特别是涉及一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)半桥模块。

背景技术

IGBT模块是一种标准尺寸的模块产品，由于其优越的开关性能被广泛的应用于电机驱动、感应加热、风能发电、光伏等领域。由于IGBT模块是一种内部结构相对复杂的产品，制造工艺繁琐，常用的半桥电路涉及3个功率端子4个信号端子及芯片连接。市场大部分的34mm IGBT模块均通过引线焊接信号端子实现线路连接。

如图1所示，是现有IGBT半桥模块的内部结构图，现有IGBT半桥模块包括：底板101、芯片单元、陶瓷覆铜板(DBC)、功率端子、信号端子和信号端子引线106。

一个所述芯片单元包括一个IGBT芯片和一个FRD芯片。

通常，所述IGBT半桥模块包括两块所述陶瓷覆铜板，各所述陶瓷覆铜板设置有一个所述芯片单元，所述信号端子的数量为4个，所述功率端子的数量是3个，所述信号端子引线106的数量为4根。图1中两块所述陶瓷覆铜板分别用标记102a和102b标出，4个所述信号端子分别用标记105a、105b、105c和105d标出，3个所述功率端子分别用标记107a、107b和107c标出。两个所述IGBT芯片分别用标记103a和103b标出，两个所述FRD芯片分别用标记104a和104b标出。

两块所述陶瓷覆铜板102a和102b之间采用金属块108连接。

各所述信号端子都分别通过对应的所述信号端子引线106连接到所述陶瓷覆铜板上。所述信号端子包括栅极信号端子和发射极信号端子；所述IGBT芯片的栅极通过对应的所述信号端子引线106引出到对应的所述栅极信号端子上，所述IGBT芯片的发射极通过对应的所述信号端子引线106引出到对应的所述发射极信号端子上。

所述陶瓷覆铜板设置在所述底板101上。

现有结构中，需要采用信号端子引线106且需要通过焊接来实现信号端子和信号端子引线106的连接，信号端子引线106需要采用硅胶保护管，这种结构的成本较高，生产中引线装配及点焊步骤复杂。

现有结构还会带来的信号震荡，信号端子的焊接可靠性差等问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种IGBT半桥模块，能实现在制造或使用过程中提高产品的生产效率和产品质量。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的IGBT半桥模块包括：底板、芯片单元、陶瓷覆铜板、功率端子、信号端子和信号端子座。

一个所述芯片单元包括一个IGBT芯片和一个FRD芯片。

所述信号端子包括栅极信号端子和发射极信号端子，所述信号端子都直接焊接在所述陶瓷覆铜板上，所述IGBT芯片的栅极通过铝线键合在所述陶瓷覆铜板上并引出到对应的所述栅极信号端子上，所述IGBT芯片的发射极通过铝线键合在所述陶瓷覆铜板上并引出到对应的所述发射极信号端子上。

所述陶瓷覆铜板直接焊接在所述底板上。

所述信号端子支撑在对应的所述信号端子座上。

进一步的改进是，所述信号端子采用褶边，在所述信号端子的焊接位置处具有开孔。