[实用新型]一种SiC基MOS器件有效
| 申请号： | 201920127844.0 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN210156382U | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 张瑜洁;李昀佶;陈彤 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/20;H01L29/24;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/331;H01L21/34;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王美花 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic mos 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种SiC基MOS器件，其特征在于：包括至下而上依次设置的欧姆接触电极层、SiC外延材料基片层、二维材料薄膜层、氧化物薄膜层和栅电极层；所述二维材料薄膜层为MoS2、BN材料、Bi2Te3或Bi2Se3，所述二维材料薄膜层的厚度范围为1～50nm，所述氧化物薄膜层为SiO2、Al2O3、SixNy、AlN、AlON或HfO2。
2.根据权利要求1所述的一种SiC基MOS器件，其特征在于：所述氧化物薄膜层的厚度范围为5～50nm。
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