[实用新型]转接基板、阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201920017009.1 | 申请日: | 2019-01-04 |
公开(公告)号: | CN209133508U | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 姚琪;柳在一;刘英伟;狄沐昕;梁志伟;顾仁权 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 董亚军 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电材料 基板本体 显示器件 转接基板 保护层 绝缘保护层 导电图案 显示装置 阵列基板 导电层 电连接 通孔 制备 本实用新型 层叠设置 显示基板 制备过程 膨胀量 减小 良率 绝缘 填充 | ||
本实用新型公开了一种转接基板、阵列基板及显示装置,属于显示技术领域。包括:基板本体,基板本体上设置有多个转接过孔,转接过孔中填充有导电材料;位于基板本体至少一侧的过孔保护层,过孔保护层包括沿远离基板本体的方向层叠设置的导电层和绝缘保护层,导电层包括相互绝缘的多个导电图案,绝缘保护层上设置有多个第一通孔。通过在转接基板设置有过孔保护层的一侧制备显示器件,显示器件中的部分结构可以通过第一通孔与导电图案实现电连接,以间接实现与转接过孔中导电材料的电连接,降低了在显示器件制备过程中导电材料所受的温度,可以减小导电材料的膨胀量,提高显示基板的制备良率。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,特别涉及一种转接基板、阵列基板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的快速发展,全面屏成为显示技术领域的研究重点。其中,实现显示屏的边框的窄型化是实现全面屏的前提。
相关技术中提供了一种玻璃通孔(Through Glass Via,TGV)背板,基于该TGV背板可以制备得到边框较窄的显示基板。图1是发明人已知的一种TGV背板的结构示意图,如图1所示,TGV背板上设置有多个转接过孔H,每个转接过孔H中填充有导电材料,例如铜。基于该TGV背板制备得到的显示基板中,显示器件位于TGV背板的一侧,集成电路(IntegratedCircuit,IC)驱动芯片位于TGV背板的另一侧。其中,显示器件包括沿远离TGV背板的方向层叠设置的薄膜晶体管和发光器件。薄膜晶体管中的源极和漏极中的一极、栅极分别通过TGV背板上的转接过孔实现与IC驱动芯片的电连接。由于基于TGV背板制备得到的显示基板无需在边框处设置IC驱动芯片,因此可以实现显示基板边框的窄型化。
但是相关技术中,在TGV背板上制备显示器件的过程中,由于部分工艺制程的温度较高(例如薄膜生长工艺和退火工艺等),TGV背板中转接过孔内的导电材料会发生膨胀,导致显示器件中已制备的膜层受损甚至断裂,因此相关技术中基于TGV背板制备得到的显示基板的良率较低。
实用新型内容
本实用新型实施例提供了一种转接基板、阵列基板及显示装置,可以解决相关技术基于TGV背板制备得到的显示基板的良率较低的问题。所述技术方案如下:
第一方面,提供了一种转接基板,包括:
基板本体,所述基板本体上设置有多个转接过孔,所述转接过孔中填充有导电材料;
位于所述基板本体至少一侧的过孔保护层,所述过孔保护层包括沿远离所述基板本体的方向层叠设置的导电层和绝缘保护层,所述导电层包括相互绝缘的多个导电图案,所述绝缘保护层上设置有多个第一通孔;
其中,所述多个导电图案、所述多个第一通孔与所述多个转接过孔一一对应,所述导电图案与对应的转接过孔中的导电材料电连接,所述第一通孔在所述基板本体上的正投影与对应的导电图案在所述基板本体上的正投影存在重合区域,且所述第一通孔在所述基板本体上的正投影与对应的转接过孔所在区域不存在重合区域。
可选的,所述基板本体的相对两侧分别设置有所述过孔保护层。
可选的,所述过孔保护层还包括隔热保护层,所述隔热保护层位于所述导电层与所述绝缘保护层之间;
所述隔热保护层上设置有多个第二通孔,所述多个第二通孔与所述多个第一通孔一一对应,所述第二通孔与对应的第一通孔连通,所述第二通孔在所述基板本体上的正投影与对应的导电图案在所述基板本体上的正投影存在重合区域,且所述第二通孔在所述基板本体上的正投影与对应的转接过孔所在区域不存在重合区域。
可选的,所述第一通孔在所述基板本体上的正投影与对应的第二通孔在所述基板本体上的正投影完全重合。
可选的,所述隔热保护层的制备材料包括聚酰亚胺、有机硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化硅和三氧化二铝中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的