[发明专利]一种HAC电池用铜电镀栅线的掩膜结构及其制备方法

权利要求书

1.一种HAC电池用铜电镀栅线的掩膜结构，其特征在于：在所述电池片的两面TCO层表面制备氮化硅或者氧化硅或者氮化硅-氧化硅的复合薄膜作为铜电镀栅线的掩膜，所述掩膜在铜电镀栅线制备完成后留在电池片的表面，不移除；所述掩膜与所述TCO的折射率相互匹配。

2.根据权利要求1所述的一种HAC电池用铜电镀栅线的掩膜结构，其特征在于：采用氮化硅作为掩膜并采用ITO作为TCO材料；所述氮化硅的折射率范围为1.86～2.13，厚度为30nm～70nm；所述ITO的折射率为2.0～2.2，厚度为15nm～70nm。

3.根据权利要求2所述的一种HAC电池用铜电镀栅线的掩膜结构，其特征在于：所述ITO/氮化硅的折射率匹配为2.11/1.86。

4.根据权利要求1所述的一种HAC电池用铜电镀栅线的掩膜结构，其特征在于：采用氧化硅作为掩膜并采用ITO作为TCO材料，所述氧化硅的折射率范围1.4～1.5，厚度为60nm～150nm，所述ITO的折射率范围为2.0～2.2，厚度为15nm～70nm。

5.根据权利要求4所述的一种HAC电池用铜电镀栅线的掩膜结构，其特征在于：所述ITO/氧化硅的折射率匹配为2.08/1.46。

6.根据权利要求1所述的一种HAC电池用铜电镀栅线的掩膜结构，其特征在于：采用氮化硅、氧化硅的复合膜层作为掩膜并采用ITO作为TCO材料；所述氧化硅的折射率为1.4～1.5，厚度为60am～150am；所述氮化硅的折射率范围为1.86～2.09，厚度为10nm～20nm；所述ITO的折射率范围为2.0～2.2，厚度为20nm～60nm。

7.根据权利要求6所述的一种HAC电池用铜电镀栅线的掩膜结构，其特征在于：所述ITO/氮化硅/氧化硅的折射率匹配为2.13/1.91/1.46。

8.一种HAC电池用铜电镀栅线的掩膜制备方法，其特征在于：所述掩膜采用PECVD法或者热丝CVD法制备，在所述电池片的两面TCO层表面制备氮化硅或者氧化硅或者氮化硅-氧化硅的复合薄膜作为所述铜电镀栅线的掩膜；所述掩膜在所述铜电镀栅线制备完成后留在电池片的表面，不移除。

9.根据权利要求8所述的一种HAC电池用铜电镀栅线的掩膜制备方法，其特征在于：所述掩膜的开槽通过镀膜时在电池片表面放置硬质掩膜或者在镀膜结束后采用刻蚀剂刻蚀的方法完成。

10.根据权利要求8所述的一种HAC电池用铜电镀栅线的掩膜制备方法，其特征在于：采用刻蚀剂刻蚀掩膜情况下只刻蚀掩膜材料，不刻蚀TCO材料；刻蚀栅线的宽度为0.1～80μm；所述铜电镀栅线的厚度为0.2～20μm，允许所述铜电镀栅线有不连续。