[发明专利]一种结型场效应管及其静电放电结构

权利要求书

1.一种结型场效应管，其特征在于：包括源极区、漏极区，以及设置在源极区和漏极区之间的第一栅极区，所述第一栅极区包括第一导电类型的第一势阱和第一重掺区、第二导电类型的第二重掺区、以及栅电极，其中，所述第一重掺区和第二重掺区并列地设置于所述第一势阱中，并和设置于所述第一栅极区表面的栅电极欧姆接触，漂移区、第一势阱和第二重掺区之间形成一个并联在所述漏极区和所述第一栅极区之间的三极管，所述源极区包括设置在所述漂移区上具有第二导电类型的第二势阱、设置在所述第二势阱中具有第二导电类型的第三重掺区，以及与所述第三重掺区欧姆接触的源电极，所述漏极区包括设置在所述漂移区上具有第二导电类型的第三势阱、设置在所述第三势阱中具有第二导电类型的第四重掺区，以及与所述第四重掺区欧姆接触的漏电极，其中所述源极区和所述漏极区非对称的分布在所述第一栅极区的两侧。

2.如权利要求1所述的结型场效应管，其特征在于：所述第一栅极区和所述漏极区之间设有隔离用的浅沟槽，所述浅沟槽分别向所述第一势阱和第三势阱横向延伸至所述第二重掺区和所述第四重掺区，其中，所述浅沟槽在所述第三势阱的横向延伸长度至少大于所述浅沟槽在所述第一势阱的横向延伸长度。

3.如权利要求1所述的结型场效应管，其特征在于：所述第四重掺区靠近所述第一栅极区的一侧上还设有金属硅化物阻挡层，该金属硅化物阻挡层至少占据部分所述第四重掺区的表面，所述漏电极设置在所述第四重掺区的剩余部分上。

4.如权利要求1-3任意一项所述的结型场效应管，其特征在于：所述结型场效应管为N型沟道场效应管，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型，所述三极管为NPN三极管。

5.如权利要求4所述的结型场效应管，其特征在于：所述NPN三极管用于将由所述漏电极涌入的正向ESD电流引流至所述栅电极进行泄放。

6.如权利要求1-3任意一项所述的结型场效应管，其特征在于：所述结型场效应管为P型沟道场效应管，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，所述三极管为PNP三极管。

7.如权利要求6所述的结型场效应管，其特征在于：所述PNP三极管用于将由所述漏电极涌入的反向ESD电流引流至所述栅电极进行泄放。

8.一种用于结型场效应管的静电放电结构，所述结型场效应管包括源极区、漏极区，以及设置在源极区和漏极区之间的第一栅极区，所述源极区和所述漏极区之间设有漂移区，该漂移区具有和所述第一栅极区不同的导电类型，其特征在于：所述静电放电结构包括并联的设置在所述漏极区和所述第一栅极区之间的三极管，所述三极管包括由所述漂移区和所述栅极区构成的第一PN结，和插入在所述栅极区中的第二PN结，其中所述第二PN结通过在第一栅极区注入与所述第一栅极区不同导电类型的重掺区形成，该第二PN结的一端欧姆连接在所述第一栅极区的栅电极上，另一端与所述第一PN结连接。

9.如权利要求8所述的静电放电结构，其特征在于：所述结型场效应管为N沟道型场效应管，所述三极管为NPN三极管，该NPN三极管用于将由所述漏极区涌入的正向ESD电流引流至所述栅电极进行泄放。

10.如权利要求8所述的静电放电结构，其特征在于：所述结型场效应管为P沟道型场效应管，所述三极管为PNP三极管，该PNP三极管用于将由所述漏极区涌入的反向ESD电流引流至所述栅电极进行泄放。