[发明专利]有机发光二极管及其制备方法有效
申请号: | 201911409910.4 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111129362B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 钟安星 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机发光二极管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供衬底层;
在所述衬底层上形成第一电极层;
在所述第一电极层背离所述衬底层的表面上形成共混活性层,其中,所述共混活性层包括发光层以及第一封装层,所述第一封装层包覆于所述发光层表面;所述第一封装层中具有高分子材料聚丙烯晴;
在所述第一封装层背离所述第一电极层的表面形成第二电极层。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述第一电极层背离所述衬底层的表面上形成共混活性层步骤中包括:在发光材料中掺入高分子材料形成共混活性溶液,并将所述共混活性溶液涂覆于所述第一电极层上形成所述共混活性层,其中,所述高分子材料均匀分散在所述发光层的表面。
3.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述共混活性溶液通过卷对卷的方式形成于所述第一电极层背离所述衬底层的表面上。
4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:
在所述第二电极层背离所述发光层的表面上形成第二封装层;
其中,所述第二电极层为阴极层。
5.一种有机发光二极管,其特征在于,包括:
衬底层;
第一电极层,设于所述衬底层上;
共混活性层,设于所述第一电极层远离所述衬底层的一表面上;
第二电极层,设于所述共混活性层远离所述第一电极层的一表面上;
其中,所述共混活性层包括发光层以及第一封装层,所述第一封装层包覆于所述发光层表面;所述第一封装层中包括高分子材料聚丙烯晴。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管,其特征在于,所述共混活性层的材料中包括发光材料和高分子材料。
7.如权利要求5所述的有机发光二极管,其特征在于,还包括:
第二封装层,设于所述第二电极层背离所述共混活性层的一表面上。
8.如权利要求5所述的有机发光二极管,其特征在于,所述第一电极层为阳极层,所述第二电极层为阴极层。
9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求5-8中任意一项所述的有机发光二极管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择