[发明专利]硅异质结太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种硅异质结太阳电池，其特征在于，包括：

基材，所述基材具有相对设置的正面和背面；

铜薄膜电极，所述铜薄膜电极设置在整个所述背面的一侧；

图形化的铜栅线电极，所述铜栅线电极设置在所述正面的一侧。

2.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，还包括：

图形化的第一铜种子层，所述第一铜种子层设置在所述正面上，且所述铜栅线电极设置在所述第一铜种子层远离所述基材的表面上；

第二铜种子层，所述第二铜种子层设置在整个所述背面上，且所述铜薄膜电极设置在所述第二铜种子层远离所述基材的整个表面上。

3.根据权利要求1或2所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述铜薄膜电极的厚度为5～45微米。

4.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述基材包括：

晶硅衬底；

本征非晶硅薄膜，所述本征非晶硅薄膜设置在所述晶硅衬底相对设置的两个表面上；

掺杂非晶硅薄膜，所述掺杂非晶硅薄膜设置在两个所述本征非晶硅薄膜远离所述晶硅衬底的表面上；

TCO薄膜，所述TCO薄膜设置在两个所述掺杂非晶硅薄膜远离所述晶硅衬底的表面上。

5.一种制备权利要求1～4中所述的硅异质结太阳电池的方法，其特征在于，包括：

提供基材，所述基材具有相对设置的正面和背面；

在整个所述背面的一侧形成铜薄膜电极，在所述正面的一侧形成图形化的铜栅线电极。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述正面上沉积形成整层第一铜种子层，在整个所述背面上沉积形成第二铜种子层；

在所述整层第一铜种子层远离基材的表面上光刻形成图形化的掩膜；

其中，在所述第二铜种子层远离所述基材的整个表面上电镀形成所述铜薄膜电极，在未被所述掩膜覆盖的所述整层第一铜种子层的表面上电镀形成所述铜栅线电极。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，在所述电镀时，电镀液包括CuSO₄和添加剂，其中，Cu²⁺的浓度为15～80g/L，电镀时间为15～60分钟。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在形成所述铜薄膜电极和所述铜栅线电极之后，还包括：

去除所述掩膜；

去除所述未被所述铜栅线电极覆盖所述的整层第一铜种子层部分，得到第一铜种子层，并暴露出未被所述铜栅线电极覆盖的所述基材中TCO薄膜的表面。