[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层，其中，还包括：设置在所述量子点发光层和阴极之间的BiVO₄层。本发明中，通过在所述量子点发光层和阴极之间设置一层BiVO₄，BiVO₄可以有效吸收射向非透明金属电极的光，并产生光生电子，产生的光生电子在外电场作用下，直接注入到量子点发光层，增大了电子的注入浓度，提高了量子点发光层中电子和空穴的复合机率，从而有效提高器件发光效率。

技术领域

本发明涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

近年来，随着显示技术的快速发展，以半导体量子点(QDs)材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)受到了广泛的关注。量子点发光二极管色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点，使得其在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。尽管通过对量子点材料的改进以及QLED器件结构的不断优化，现有QLED的性能(包括器件效率和寿命)得到了大幅度的提高，但是其效率与产业化生产的要求还相差较远。发明人研究发现，在QLED器件中，量子点发光层发出的射向非透明电极(通常阳极为透明电极，阴极为非透明电极)的光往往被大部分浪费掉。另外，提高器件效率的一个关键因素就是要增大电子和空穴的注入浓度，提高其在量子点发光层中的复合几率，提高器件效率。因此，如何提高QLED发光效率是研究的一个重要方向。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有量子点发光二极管的发光效率低的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层，其中，还包括：设置在所述量子点发光层和阴极之间的BiVO₄层。

一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：

提供阳极；

在所述阳极上形成量子点发光层；

在所述量子点发光层上形成BiVO₄层；

在所述BiVO₄层上形成阴极，得到量子点发光二极管。

有益效果：本发明中，通过在所述量子点发光层和阴极之间设置一层BiVO₄，BiVO₄可以有效吸收射向非透明金属电极(阳极为透明电极，阴极为非透明电极)的光，并产生光生电子，产生的光生电子在外电场作用下，直接注入到量子点发光层，增大了电子的注入浓度，提高了量子点发光层中电子和空穴的复合机率，从而有效提高器件发光效率。

附图说明

图1为本发明实施例中提供的一种量子点发光二极管的结构示意图。

图2为本发明实施例中提供的一种量子点发光二极管的另一结构示意图。

图3为本发明实施例中提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。

具体实施方式

本发明提供一种量子点发光二极管及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例提供一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层，其中，还包括：设置在所述量子点发光层和阴极之间的BiVO₄层。