[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层，其特征在于，所述阳极和量子点发光层之间设置有空穴功能层，所述空穴功能层包括层叠设置的空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层靠近所述阳极设置，所述空穴传输层靠近所述量子点发光层设置，所述空穴注入层包括层叠设置的第一过渡金属氧化物薄膜、过渡金属硫化物薄膜以及第二过渡金属氧化物薄膜，所述第一过渡金属氧化物薄膜靠近所述阳极设置，所述第二过渡金属氧化物薄膜靠近所述空穴传输层设置；

其中，所述第一过渡金属氧化物薄膜材料为MoO₃，所述过渡金属硫化物薄膜材料为MoS₂，所述第二过渡金属氧化物薄膜材料为MoO₃或WO₃；

或者，所述所述第一过渡金属氧化物薄膜材料为WO₃，所述过渡金属硫化物薄膜材料为WS₂，所述第二过渡金属氧化物薄膜材料为MoO₃或WO₃。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一过渡金属氧化物薄膜的厚度为10-30nm；和/或，所述过渡金属硫化物薄膜的厚度为1-10nm；和/或，所述第二过渡金属氧化物薄膜的厚度为10-30nm。

3.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-2任一所述的量子点发光二极管。

4.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供一种阳极基板，在所述阳极基板上制备第一过渡金属氧化物薄膜；

在所述第一过渡金属氧化物薄膜表面制备过渡金属硫化物薄膜；

在所述过渡金属硫化物薄膜表面制备第二过渡金属氧化物薄膜；

在所述第二过渡金属氧化物薄膜表面制备空穴传输层；

在所述空穴传输层表面制备量子点发光层；

在所述量子点发光层表面制备阴极，制得所述量子点发光二极管；

或者，提供一种阴极基板，在所述阴极基板上制备量子点发光层；

在所述量子点发光层表面制备空穴传输层；

在所述空穴传输层表面制备第三过渡金属氧化物薄膜；

在所述第三过渡金属氧化物薄膜表面制备过渡金属硫化物薄膜；

在所述过渡金属硫化物薄膜表面制备第四过渡金属氧化物薄膜；

在所述第四过渡金属氧化物薄膜表面制备阳极，制得所述量子点发光二极管。

5.根据权利要求4所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述第一过渡金属氧化物薄膜表面制备过渡金属硫化物薄膜的步骤包括：在加热条件下，向所述第一过渡金属氧化物薄膜表面通入硫蒸汽或硫化氢，在所述第一过渡金属氧化物薄膜表面生成过渡金属硫化物薄膜；

或者，所述在所述第三过渡金属氧化物薄膜表面制备过渡金属硫化物薄膜的步骤包括：在加热条件下，向所述第三过渡金属氧化物薄膜表面通入硫蒸汽或硫化氢，在所述第三过渡金属氧化物薄膜表面生成过渡金属硫化物薄膜。

6.根据权利要求5所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述加热条件的温度为600-1000℃。

7.根据权利要求4所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一过渡金属氧化物薄膜的厚度为10-30nm；和/或，所述过渡金属硫化物薄膜的厚度为1-10nm；和/或，所述第二过渡金属氧化物薄膜的厚度为10-30nm；和/或，所述第三过渡金属氧化物薄膜的厚度为10-30nm；和/或，所述第四过渡金属氧化物薄膜的厚度为10-30nm。

8.根据权利要求4所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层材料选自TFB、PVK、Poly-TPD、PFB、TCTA、CBP、TPD和NPB中的一种或多种，和/或，所述量子点发光层材料选自二元相量子点、三元相量子点和四元相量子点中的一种或多种。