[发明专利]纳米复合材料及其制备方法、溶液组合物和发光二极管

说明书

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种纳米复合材料及其制备方法、溶液组合物和发光二极管。本发明提供的纳米复合材料的制备方法包括：在惰性气体气氛下，将金属氧化物纳米颗粒和含三氟甲基的前驱体于溶液中在酸性条件下进行反应，制备表面修饰有至少一个三氟甲基的金属氧化物纳米颗粒。方法简单，操作简便，且制得的纳米复合材料的表面修饰有三氟甲基，改善了金属氧化物纳米颗粒表面的电子云状态，填补了金属氧化物纳米颗粒表面的缺陷，当将其应用于制备发光器件中的电子传输层时，可提高电子在传输膜层的传输效率，减少膜层的缺陷发光，并可优化膜层与发光层的接触界面，从而提升发光器件的发光性能。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种纳米复合材料及其制备方法、溶液组合物和发光二极管。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)是一种电致发光器件，由于其拥有高发光效率、高色纯度、窄发光光谱、发射波长可调等优点而成为新一代优秀显示技术。目前所研究的量子点发光二极管(QLED)器件的发光机理为：由阴极注入的电子通过电子传输层传输进入量子点发光层与空穴进行复合辐射发光。

近年来，采用具有宽带隙的金属氧化物纳米颗粒作为电子传输层成为比较热的研究内容，为了提高材料的应用性能，人们尝试采用一些小分子配体对金属氧化物纳米颗粒进行表面化学修饰，目前常见的小分子配体主要为硫醇、脂肪酸、胺和有机磷酸等，采用这些小分子配体进行金属氧化物纳米颗粒的表面修饰，虽然可以提高金属氧化物纳米颗粒在非极性溶剂中的分散性，但是，表面修饰有这类配体的金属氧化物纳米颗粒的电子迁移率普遍较低。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种纳米复合材料的制备方法，旨在解决现有金属氧化物纳米颗粒的电子迁移率较低的问题。

本发明的另一目的在于提供一种溶液组合物。

本发明的又一目的在于提供由上述制备方法制得的纳米复合材料。

本发明的再一目的在于提供一种发光二极管。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一种纳米复合材料的制备方法，包括：在惰性气体气氛下，将金属氧化物纳米颗粒和含三氟甲基的前驱体于溶液中在酸性条件下进行反应，制备表面修饰有至少一个三氟甲基的金属氧化物纳米颗粒。

本发明提供的纳米复合材料的制备方法，通过将金属氧化物纳米颗粒和前驱体于溶液中在酸性条件下进行反应，使得前驱体分解形成游离三氟甲基，且使得所述游离三氟甲基与所述金属氧化物纳米颗粒结合，从而制得表面修饰有三氟甲基的金属氧化物纳米颗粒。本发明提供的方法简单，操作简便，易于控制，适用于纳米复合材料的规模化量产。通过本发明方法制得的纳米复合材料，其表面修饰有三氟甲基，一方面，三氟甲基具有高密度的电子云，可以增加金属氧化物纳米颗粒表面的电子云密度，从而提升电子迁移率；另一方面，三氟甲基可以与金属氧化物纳米颗粒表面的悬挂键结合，在其表面形成钝化作用，当其应用于制备电子传输层时，可减少界面处由缺陷态所造成的载流子复合中心，从而减少电子传输层的缺陷发光，进而提高发光器件的发光效率；又一方面，三氟甲基的引入提高了材料的极性、偶极矩、稳定性和亲脂性，提高了金属氧化物纳米颗粒在溶液中的稳定性及其成膜性能，当将其应用于制备发光器件中的电子传输层时，由于其亲脂性可减少电子传输层与油性材料发光层之间的界面斥力，提高界面接触效率，改善膜层间的电荷传输，可进一步地提高发光器件发光效率。

相应地，一种溶液组合物，包括：溶剂和分散在所述溶剂中的金属氧化物纳米颗粒，所述金属氧化物纳米颗粒的表面修饰有三氟甲基。