[发明专利]半导体工艺设备

权利要求书

1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：工艺腔室、介质窗组件及加热装置；

所述介质窗组件设置于所述工艺腔室顶部，且所述介质窗组件内具有容置腔，所述容置腔用于容纳加热介质；

所述加热装置与所述介质窗组件连接，用于向所述容置腔内通入所述加热介质；

所述加热装置包括加热器，所述加热器用于对所述加热介质进行加热；

所述加热器包括隔热筒及多个加热片，多个所述加热片沿所述隔热筒的轴向延伸设置，任意两个相邻的所述加热片之间形成有加热通道。

2.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述介质窗组件包括底座及盖板，所述底座上开设有凹槽，所述盖板设置于所述底座上，与所述凹槽配合形成所述容置腔；所述盖板上开设有加热介质进入口和加热介质排出口。

3.如权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述凹槽呈环形，其底面上设置有多个加强结构，多个所述加强结构呈放射状分布。

4.如权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述加强结构包括沿所述凹槽径向延伸设置的加强筋。

5.如权利要求4所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述加强结构还包括支撑块，所述支撑块设置于所述加强筋上，用于顶抵所述盖板的底面。

6.如权利要求2至5的任一所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述加热装置还包括第一管路及第二管路，所述第一管路的两端分别与所述加热器及所述加热介质进入口连接，所述加热器通过所述第一管路向所述容置腔内通入所述加热介质；所述第二管路的两端分别与所述加热介质排出口及所述加热器连接，所述加热介质通过所述第二管路从所述容置腔内返回所述加热器。

7.如权利要求6所述的半导体工艺设备，其特征在于，还包括有安装轴，所述安装轴与所述隔热筒同轴设置，多个所述加热片设置在所述安装轴上，且沿所述安装轴的周向均匀分布。

8.如权利要求6所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述加热片的外表面上包覆有防护层。

9.如权利要求6所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述加热介质为空气；所述第二管路上设置有空气放大器，用于加速所述空气的流动速度；所述第二管路上还设置有多孔结构，用于吸入所述介质窗组件周围的空气。