[发明专利]Flash芯片及其读方法

说明书

本发明涉及一种Flash芯片及其读方法；Flash芯片，包括用于获取内部时间信号(32)的计时器(30)，与计时器(30)电性连接、用于获取计时器(30)所获取的内部时间信号(32)并根据内部时间信号(32)启动或关断的读电路(40)；内部时间信号(32)的频率恒定。本发明的Flash芯片及其读方法设计新颖，实用性强。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种Flash芯片及其读方法。

背景技术

在Flash芯片中，读电路是重要组成部分之一。用户在应用Flash芯片时，大多希望Flash芯片可以在高频率下工作，这要求Flash芯片在高频率下可以准确地读出存储单元的数据。通常情况下，Flash芯片读取频率越低，读电路的工作时间越长，读电路的功耗越大。若读电路具有在高频率下准确读出存储单元的数据的能力，则读电路以及Flash芯片从高频率下转为在低频率下读取数据的功耗将会变得很大，这对外围电路的电源提出了更高的要求，很可能导致整个系统工作异常。

发明内容

本发明针对上述技术问题，提出一种Flash芯片及其读方法。

本发明所提出的技术方案如下：

本发明提出了一种Flash芯片，包括用于获取内部时间信号的计时器，与计时器电性连接、用于获取计时器所获取的内部时间信号并根据内部时间信号启动或关断的读电路；内部时间信号的频率恒定。

本发明上述的Flash芯片中，读电路包括比较器、存储单元以及电压源；存储单元包括晶体管；比较器的反相输入端经电压源后接地；比较器的同相输入端接存储单元的晶体管的漏极，存储单元的晶体管的源极接地；存储单元的晶体管的栅极用于通过频率恒定的内部时间信号，控制存储单元的工作时间。

本发明上述的Flash芯片中，比较器的反相输入端和电压源之间以及比较器的同相输入端和存储单元的晶体管的漏极之间分别连接有偏置电压产生电路。

本发明还提出了一种如上所述的Flash芯片的读方法，包括以下步骤：

步骤S1、采用计时器获取内部时间信号；内部时间信号的频率恒定；

步骤S2、根据内部时间信号启动或关断读电路。

本发明的Flash芯片及其读方法通过采用频率恒定的内部时间信号，控制存储单元的工作时间，使得读电路的工作时间不受Flash芯片工作频率影响。本发明的Flash芯片及其读方法设计新颖，实用性强。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：

图1示出了一种读电路的电路图；

图2示出了一种Flash芯片的功能模块示意图；

图3示出了本发明优选实施例的Flash芯片的功能模块示意图。

具体实施方式

为了使本发明的技术目的、技术方案以及技术效果更为清楚，以便于本领域技术人员理解和实施本发明，下面将结合附图及具体实施例对本发明做进一步详细的说明。

如图1所示，图1示出了一种读电路的电路图。该读电路的工作原理为：比较器A的反相输入端接参考电流支路20，比较器A的同相输入端接存储单元支路10；若存储单元为编程存储单元(pgm cell)，开启电压(VTH)较高，此时存储单元中无电流，比较器A的同相输入端的电压高于比较器A的反相输入端的电压；若存储单元为擦除存储单元(erase cell)，开启电压(VTH)较低，此时存储单元中会流过较大电流，比较器A的同相输入端的电压低于比较器A的反相输入端的电压。比较器A根据同相输入端和反相输入端的电压高低，输出结果，即输出Data_out。