[发明专利]Flash芯片及其读方法有效
| 申请号： | 201911388851.7 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111161769B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 刘梦 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯天下技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/22 | 分类号： | G11C7/22;G11C16/26 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | flash 芯片 及其 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种Flash芯片，其特征在于，包括用于获取内部时间信号(32)的计时器(30)，与计时器(30)电性连接、用于获取计时器(30)所获取的内部时间信号(32)并根据内部时间信号(32)启动或关断的读电路(40)；内部时间信号(32)的频率恒定；
读电路(40)包括比较器(A)、存储单元(11)以及电压源(21)；存储单元(11)包括晶体管；比较器(A)的反相输入端经电压源(21)后接地；比较器(A)的同相输入端接存储单元(11)的晶体管的漏极，存储单元(11)的晶体管的源极接地；存储单元(11)的晶体管的栅极用于通过频率恒定的内部时间信号(32)，控制存储单元(11)的工作时间。
2.根据权利要求1所述的Flash芯片，其特征在于，比较器(A)的反相输入端和电压源(21)之间以及比较器(A)的同相输入端和存储单元(11)的晶体管的漏极之间分别连接有偏置电压产生电路(50)。
3.一种如权利要求1或2所述的Flash芯片的读方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、采用计时器(30)获取内部时间信号(32)；内部时间信号(32)的频率恒定；
步骤S2、根据内部时间信号(32)启动或关断读电路(40)。
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