[发明专利]一种均匀遂穿氧化层的制作方法及TopCon太阳能电池制备方法

说明书

本发明公开了一种均匀遂穿氧化层的制作方法及TopCon太阳能电池制备方法，均匀遂穿氧化层的制作方法包括：步骤1，将硅片置于ALD设备中，并将所述硅片所处的空间进行抽真空到预定值；步骤2，对所述硅片轮流输入第一反应气体和第二反应气体，在所述硅片表面形成二氧化硅氧化层；步骤3，判断所述硅片的所述氧化层沉积时间达到预定周期数；若是，步骤4，停止所述第一反应气体和/或第二反应气体；其中，所述预定周期数为在所述硅片表面预期沉积的二氧化硅氧化层的厚度与每个脉冲周期中形成的二氧化硅氧化层的厚度的比值。通过采用ALD设备进行遂穿氧化层的制备，将物质以单层原子膜的形式一层层沉积在基底上，使制备出隧穿氧化层均匀且厚度适中。

技术领域

本发明涉及光伏组件制备技术领域，更具体地说，涉及一种均匀遂穿氧化层的制作方法及TopCon太阳能电池制备方法。

背景技术

由于化石能源的可开采量的下降以及开采成本的上升，同时人们对于能源的需求在不断增加，同时化石能源会造成环境污染以及温室气体的排放，因此，新能源得到飞速的发展，其中又以光伏产业发展尤为迅速。

光伏电池发电因为其几乎在任何有阳光的地方都能发电，如在太空，在沼泽，在大山，在屋顶，在河面等，使得光伏发电的可使用范围非常广泛，但同时这种新兴行业也随着技术的不断进步使得市场竞争日趋激烈。高效率、低成本、高可靠性的光伏电池才是市场竞争的核心竞争力。

而在光伏电池中，也包括多种组件类型。其中，TOPCON高效太阳电池作为其中之一，技术也得到飞速发展，且已实现大规模产业化。此电池的核心结构为遂穿氧化层及多晶硅薄膜层。

目前隧穿氧化层的制备方法很多，高温热氧化、硝酸化学湿法氧化等等。高温热氧是目前应用最多的制备遂穿氧化层的方法，其可用LPCVD设备进行制备，与多晶硅层集成制备，避免污染。但由于隧穿氧化层厚度要求1nm左右，热氧化方法很难控制，且片内不均匀，影响整片的钝化均匀性，进而影响电池效率；硝酸湿氧化方法目前应用较少，此方法制备的氧化层结构疏松且稳定性较差，很难得到均匀合适厚度的遂穿氧化层。

因此，如何高效解决目前遂穿氧化层制备不均匀及厚度不可控的问题，是本领域技术人员需要解决的一个核心问题。

发明内容

本发明提供了一种均匀遂穿氧化层的制作方法及TopCon太阳能电池制备方法，解决遂穿氧化层制备不均匀及厚度不可控的问题，提高光伏组件品质。

为解决上述技术问题，本发明提供的一种均匀遂穿氧化层的制作方法，包括：

步骤1，将硅片置于ALD设备中，并将所述硅片所处的空间进行抽真空到预定值；

步骤2，对所述硅片轮流输入第一反应气体和第二反应气体，在所述硅片表面形成二氧化硅氧化层；

步骤3，判断所述硅片的所述氧化层沉积时间达到预定周期数；

若是，步骤4，停止所述第一反应气体和/或第二反应气体；

其中，所述预定周期数为在所述硅片表面预期沉积的二氧化硅氧化层的厚度与每个脉冲周期中形成的二氧化硅氧化层的厚度的比值。

其中，所述第一反应气体为SiCl₄，所述第二反应气体为H₂O，或所述第一反应气体为SiH₄，所述第二反应气体为O₂。

其中，所述步骤2包括：

步骤21，对所述ALD设备通入预定流量的第一反应气体并在到达第一预设时间后进行氮气吹扫；

步骤22，通入所述第二反应气体与所述第一反应气体反应在所述硅片表面生成所述二氧化硅氧化层；

步骤23，检测通入所述ALD设备内的通入所述第二反应气体的反应时间是否超出预定反应时间；