[发明专利]一种MEMS芯片、制备方法及包括其的MEMS麦克风

权利要求书

1.一种MEMS芯片，其特征在于，所述芯片包括有：

具有背腔的衬底层，在所述衬底层上设置有由振膜层、第一绝缘层、背极层构成的平板电容器结构；

所述振膜层上形成有泄压孔和覆盖所述泄压孔的过滤网。

2.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述背极层上至少包括有与所述泄压孔对应的通气孔。

3.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述过滤网位于所述泄压孔内，所述过滤网的边缘侧壁与所述泄压孔的孔侧壁结合固定。

4.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述过滤网包括有滤网部和侧壁部，所述滤网部的至少部分边缘通过侧壁部结合固定在所述泄压孔的靠近或者背离所述背极的一侧边缘上。

5.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述振膜层上还形成有与所述泄压孔对应配置的可朝向背极一侧开启的泄压阀；

所述泄压阀至少包括有用于与泄压孔配合形成泄压通道的阀体部；

所述过滤网包括有滤网部和侧壁部，所述滤网部的至少部分边缘通过侧壁部结合固定在所述泄压孔的背离所述背极的一侧边缘上。

6.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述振膜层上还形成有与所述泄压孔对应配置的可朝向背极一侧开启的泄压阀；

所述泄压阀包括有用于与泄压孔配合形成泄压通道的阀体部，以及由阀体部的部分边缘向背离背极方向延伸出的连接部，所述连接部的远离阀体部的端部结合固定在所述泄压孔的边缘上。

7.根据权利要求6所述的MEMS芯片，其特征在于，所述过滤网包括有滤网部和侧壁部，所述滤网部的至少部分边缘通过侧壁部结合固定在所述泄压孔的背离所述背极的一侧边缘上。

8.根据权利要求6所述的MEMS芯片，其特征在于，所述过滤网位于所述泄压孔内，所述过滤网的边缘侧壁与所述泄压孔的孔侧壁结合固定。

9.一种如权利要求1-8所述的MEMS芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在衬底上形成振膜层，所述振膜层包括泄压孔和过滤网，所述过滤网在所述衬底一侧的正投影覆盖所述泄压孔在所述衬底一侧的正投影；

S2、在所述振膜层上依次形成第一绝缘层以及背极层。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1进一步包括以下步骤：

S11、在所述衬底上形成第三绝缘层；

S12、在所述第三绝缘层上形成第二绝缘层；

S13、在所述第二绝缘层上形成包括泄压孔和过滤网的振膜层。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S13还进一步包括如下步骤：

S1311、在所述第二绝缘层上形成振膜材料层；

S1312、图案化所述振膜材料层形成包括泄压孔和位于所述泄压孔内的过滤网的振膜层。

12.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S13还进一步包括如下步骤：

S1321、图案化所述第二绝缘层以露出部分第三绝缘层；

S1322、在所述第二绝缘层和所述露出的第三绝缘层上形成振膜材料层；

S1323、研磨所述振膜材料层至露出所述第二绝缘层；

S1324、图案化所述振膜材料层以形成过滤网的基底结构；

S1325、在所述第三绝缘层、第二绝缘层、过滤网的基底结构上形成第四绝缘层，在竖直方向上所述第四绝缘层和第二绝缘层的厚度大于所述过滤网的基底结构的厚度；

S1326、在第四绝缘层上形成振膜层，所述振膜层通过贯通第四绝缘层的过孔与过滤网的基底结构连接，并在与所述过滤网的基底结构对应的振膜层上开设泄压孔。